在微電子芯片制造過程中,常常需要在硅片表面做出極微細尺寸的圖形,而這些M93C66WMN6TR微細圖形最主要的形成方式,是使用刻蝕技術將光刻技術所產生的光刻膠圖形,包括線、面和孔洞,準確無誤地轉印到光刻膠底下的材質上,以形成整個芯片所應有的復雜結構。因此,刻蝕技術與光刻技術總稱為圖形轉印技術,在半導體N制造過程~L占有極為重要的地位。

    一般來說,在ULS1中對刻蝕技術的基本要求包括4個方面:①圖形轉移的保真度。保真度即各向異性程度。②選擇比。選擇比是指兩種不同材料在腐蝕過程中被腐蝕的速率比。通常用選擇比來

描述圖形轉移中各層材料的相互影響。③均勻性。在硅片上生長的薄膜的厚度存在起伏,而彐.同一硅片不同部位的腐蝕速率也并不相同,這些因素都會造成腐蝕圖形轉移的不均勻。④刻蝕的清潔。

USLI的圖形非常精細,在刻蝕的過程中如果引人沾污,即影響圖形轉移的精度,又增加了刻蝕后清洗的復雜性和難度。所以防止沾污是刻蝕的一個重要要求。本章從刻蝕概述、濕法刻蝕、干法刻蝕和刻蝕技術新進展等方面介紹刻蝕技術,包括對硅、氮化硅、氧化硅、金屬及金屬化合物等不同材料的刻蝕應用。