在現在的半導體刻蝕制備中,大多數的干法刻蝕都采用CHF3與氯氣所混合的等離子體來進行SiO2的刻蝕。CHF3有較佳的選擇比。有時甚OPA2348AIDR至再加人少量的氧氣來提高其刻蝕速率(囚為可以提高氟原子的濃度)。此外,sF6和N昆也可以用來作為提供氟原子的氣體,因為不含碳原子,所以不會在s的表面形成高分子聚合物。

   SiO2的刻蝕并不是一定要得到非常接近90°的輪廓才行。假如sOz刻蝕之后將進行金屬的沉積,接近直角的⒏O2輪廓將造成金屬沉積的困擾,尤其是濺鍍法。因為其臺階覆蓋的能力不良,因填縫不完全而留下空洞。所以,SiO2刻蝕的控制,除了必須注意s02與其他材質間(如s)的選擇性之外,其各向異性的控制也必須能夠與其他工藝相配合,以調整合適的RIE后的輪廓。當然,也不能犧牲刻蝕速率及均勻性。