在ULSI工藝中,主要用到兩種基本的⒊lN扌:一種是在二氧化硅層上通過LPCVD淀積弘N4薄膜,OPA244NA然后經過光刻和干法刻蝕形成圖形,作為接下來氧化或擴散的掩蔽層,但是并不成為器件的組成部分。它產生按⒏3N4組分比的氮化硅膜。由于這類氮化硅薄膜的下面有一層氧化硅,所以要求具有對氧化物的高選擇比。常用的主要氣體是CF4,并與02、N2混合使用。增加o2、N2的含量來稀釋氟基的濃度并降低對下層氧化物的刻蝕速率,可以獲得高達120oA/l.lln的刻蝕速率,以及對氧化物的大約⒛:1的高選擇比。另一種是通過PECX/lD淀積弘N4作為器件保護層。這層凱N4在經過光刻與干法刻蝕之后,氮化硅下面的金屬化層露了出來,就形成了器件的壓焊點,然后就可以進行測試和封裝了。對于這種凱N1薄膜,使用CF4―02等離子體或其他含有氟原子的氣體等離子體進行刻蝕就可以滿足要求。

   實際上,用于刻蝕s02的方法都可以用來刻蝕凱N4。由于⒏―N鍵的結合能介于⒊―O鍵與⒏―s鍵之間,所以氮化硅的刻蝕速率介于刻蝕⒏o和刻蝕s之間。這樣,如果對⒏3N4/Sio2的刻蝕中使用C凡或是其他含氟原子的氣體等離子體,對S屯N^/So2的刻蝕選擇性將會比較差。如果使用CHF3等離子體來進行刻蝕,對⒊o2/s的刻蝕選擇比可以在10以上。而對弘N1/⒏的選擇比則只有3~5,對戰N1/SiO2的選擇比只有2~4。