因為金屬Al的導電性極好,而且易以濺鍍的方式生長,所以川是半導體工藝中最常用也是最便宜的金屬材料。但因為濺鍍方法的臺階覆蓋性較差, OPA334AIDBVT當進入亞微米領域(即金屬線寬低于0,5um以下)日寸,以濺鍍方法得到的金屬川無法完美地填入接觸孔或通孔,造成接觸電阻偏高,甚至發生斷路導致器件的報廢。因此,在半導體金屬化置藝中使用CXID法沉積一耐熱金屬填入接觸孔或介層孔,取代部分鋁合金,這種工藝方法稱為接觸孔栓塞或通孔栓塞。

   作為栓塞的耐熱金屬主要有W、Tl、Ta、Pt及Mo等過渡金屬,其中以W的使用最為廣泛,下面以W金屬為例來說明接觸孔栓塞及通孔栓塞的工藝及鎢回刻技術。

   半導體器件中接觸孔刻蝕完成后,其底層大多是s或多晶硅,因此接觸孔就是提供一個通道,使上層金屬與底層⒊接觸。為克服金屬川與介電層的附著力問題,并降低接觸電阻及提高器件町靠性,川的金屬化I藝過程如下:先用C`⊙法沉積一層Tl及TiN,再利用快速熱處理形成鈦硅化物(TlS1),Tl/△N在金屬化工藝中稱為黏著層;接著以CX△D法沉積W金屬,使其填人接觸孔,囚CNTD方法沉積的薄膜的臺階覆蓋性佳,在接觸孔處不致產生空洞,但沉積的厚度必須能夠接觸孔完全填滿;然后以干法刻蝕的方法將介電層表面覆蓋的W金屬去除.留下接觸孔內的W,至此已完成接觸孔栓塞的制作工藝,這個干法刻蝕的步驟稱為“鎢回刻”。最后沉積金屬Al并制作~Al金屬線的圖形,至此,整個金屬化工藝完成。