但是過量的反濺射必然會破壞溝槽和通孔的形貌,會導致粗糙的介質表面,隨著介質OPA2348AIDR材料介電常數的降低,材料的孔隙率也呈逐漸增大的趨勢,孔隙率越大,結構強度越低,對物理轟擊的抵抗力就越小。以新一代的低介電常數介質材料為基礎的后段I藝必然會嚴格控制反濺射的用量。當然也有人通過反濺射工藝參數的優化來加大對溝槽通孔結構的保護,主要是利用方向角分布較大的中性粒子來補充容易受到損傷的拐角位置,這樣的調整一定程度上增加了反濺射制程的延伸性。

    隨著互連線的尺寸進-步縮小,阻擋層在互連線電阻中的貢獻越來越大,在保持薄膜阻擋性能的前提下降低阻擋層的厚度就成為一個很關鍵的問題。PVD的方法趨于極限,一些新的方法也逐漸完善。例如原子層沉積(Atom Layer Depositi°n,AI'D)阻擋層工藝,這種T藝與PVD相比具有極大的填洞優勢,能夠做到極好的側壁覆蓋。另外一方面AID能夠形成很薄(10A左右)而且連續性很好的薄膜,這樣可以增加銅線的有效截面積,減小銅線的電阻[151。但是ALD的方法還要面對一些工藝整合上的挑戰,如和種子層之間黏附性的問題,沉積過程中氣體往多孔介質材料中擴散的問題等[161。ALD究竟在何時取代PVD還要看ALD技術的完善以及PVD技術本身的發展。