在顯影之后,氧化層腐蝕之后及去膠之后都要進行鏡檢,即檢查光刻膠圖形是否合格,如發現TAS5414ATDKDQ1圖形不準、浮膠、鉆蝕、劃痕、小島、針孔及嚴重的邊緣不齊等現象,則圖形不合格,必須返工。然后,找出不合格的可能因素,微調工藝條件。

   思考題

   (1)一次光刻為什么要對準晶向,在后面二、三、四次光刻時卻進行對版,為什么?

   (2)比較接觸式和非接觸式曝光的優缺點。

   (3)比較負膠、正膠光刻的分辨率高低,以及其圖形有何不同?

   (4)從硅片出爐到涂膠這中間應特別注意什么問題?如果硅片出爐后不能立即涂膠,硅片應如何處理?

   (5)光刻版圖形缺陷、版面污物曝光時掩膜版鉻膜的朝向會對光刻有什么影響?

   (6)產生浮膠、鉆蝕的可能原因是什么?如何解決?

   (7)小島、針孔、鋸齒等光刻缺陷是怎樣產生的?它們對晶體管性能產生什么影響?為什么說一次光刻(光刻基區)日寸,出現小島的可能性最大?

   (8)曝光時間主要依據什么條件而定?時間過長或過短會產生什么現象?為什么?