（1）工藝設各:雙管3英寸高溫擴散爐,sZ82型四探針電阻測試儀,源瓶,控溫儀,氣體流量計,石英的NaOH,定影液可使用超純水。配0,5%的NaOH待用。 TAS5414ATDKDMQ1

   (2)從氧化爐取出硅片直接放人烘箱干燥,約120℃、3o min。

   (3)旋轉涂膠,掌握好轉速,約每分鐘300O00轉。

   (4)前烘,約90℃、10min。

   (5)開光刻機,檢察光刻版圖形,準備光刻。

   (6)安放光刻版,將涂好光刻膠的硅片放人光刻機,對準晶向,進行曝光,約40s。

   (7)取出硅片,進行顯影,曝光后,受光照部分的正膠發生光化學反應,在顯影過程中溶入顯影液,只有未曝光部分的正膠保留,因此,膠膜顯現出與光刻版相同的圖形;然后,用金相顯微鏡觀察膠膜圖形,如合格就進行定影。

   (8)將定影后的硅片放人烘箱進行后烘(又稱堅膜),約140℃、30min。

   (9)腐蝕氧化層,將未被光刻膠保護的Sl02層腐蝕掉,露出基區硅表面。

   (10)去膠,用98%的濃硫酸煮沸硅片,去除SK)2層上的光刻膠膜,基區光刻全部完成。