早期的平面雙極型集成電路主要采用反偏pn結隔離的標準埋層雙極型晶體管,收集區擴 P082ABD8散隔離雙極型晶體管,以及三重擴散層雙極型晶體管。如圖12-22所示為雙極型集成電路中晶體管的結構示意圖。

   圖1222 雙極型集成電路中晶體管的結構示意圖

   在這三種電路中最為常用的是標準埋層雙極型電路。標準埋層雙極型電路的襯底通常采用輕摻雜的p型硅,摻雜濃度一般在10:atoms∷cm3數量級。摻雜濃度低,可減小收集結的結電容,并提高收集結的擊穿電壓。但摻雜濃度過低會在后續工藝中使埋層下推過多。過去為了減少外延層的缺陷,通常選用偏離2°~5°的(111)晶向。但是目前為了和CMOS工藝兼容,都選用了標準的(100)晶向。其工藝流程(如圖1223所示)如下。