高阻狀態下測試時,在掉電的瞬間,由于C1兩端存在電壓,其中的能量會繼續提供給DC/DC電源模塊工作一段時間,同時Cl中的能量因DC/DC電源模塊的工作而迅速被消耗掉,即Cl兩端的電壓迅速降低,SN1304056RSBR直到C1兩端的電壓不能使DC/DC電源模塊正常I作,從-31Ⅴ開始DC/DC電源就不處于正常工作狀態,因此消耗也大大減少,Cl兩端的電壓下降也變得非常緩慢。這就是產品在高阻狀態下測試時,C1兩端的電壓沒有很快跌到零,而會保持-31Ⅴ一段時間的原因。

   另外,由于C1兩端的電壓下降使DC/DC電源模塊停止I作后,使得原來那些由DC/DC電源模塊供電的后一級集成電路,只能靠C2來維持一段時間,但是集成電路不像DC/DC電源模塊那樣有很寬的正常工作電壓范圍。據統計,-般集成電路的正常工作電壓是額定電壓的±5%,這個電壓范圍很難由C2來維持一段較長的時間,通常DC/DC電源模塊的輸出電壓為零,集成電路也很快消耗C2中的能量,使C2兩端的電壓小于正常電壓的嚦%,這時集成電路相當于掉電,即出現系統復位現象。    

   為何在低阻狀態下進行測試時,增加儲能電容的值,“保護”現象無明顯的改善,而在高阻狀態下卻效果明顯?