熱氧化工藝無疑是硅工藝的核心技術之一。隨著芯片特征尺寸越來越小.當今熱 MAX3040EWE+T氧化工藝的發展方向主要集中在如何制造電學性能優良且足夠薄的柵氧化層,要求這層薄柵具有高介電常數、較低氧化層電荷及較高擊穿電壓等特性。圍繞這些要求,氧化層生長工藝改進主要從降低氧化溫度著手,同時低溫工藝也有利于抑制雜質的擴散。但低溫工藝過程氧化層生長速率較慢,不利于生產實踐。所以在降低氧化溫度前提下,為保證生長速率,工藝上又從兩個方面改進。一是利用高壓氧化,耐10~25個標準大氣壓的氧化爐已經實現商品化。高壓氧化的主要特點是氧化速率快,反應溫度低,從而減小了雜質的再分布和pn結的位移。高壓水汽氧化還能抑制氧化堆垛層錯,因而減小了器件的漏電流。另外,由于反應溫度低,硅片翹曲程度大大改善,囚而減小了光刻的對準難度。二是利用淀積I藝生產s02薄膜,在后面章節將詳細介紹。

   當然,岜可采用新的柵介質材料以取代s02薄層,改進高Κ介質薄柵I藝必將引領r工藝邁人新的紀元。

   本章小結

   本章從so基本結構入手,介紹了sO:薄膜基本的物理化學性質,以及s02薄膜在I藝中所發揮的作用和地位。重點講述熱氧化法制備sO?薄膜牡長原理、工藝方法,討論了生長過程中I藝參對薄膜生長速率、質量和性能的影響。同時對熱氧化過程所引起的雜質再分布、分凝效應及界面問題進行介紹,最后對s02薄膜測試方法及其他制備氧化薄膜方法加以介紹。