1．光照特性

   所謂光照特性， K9F1G08UOM-YCBO是指光電管（硅光電二極管和硅光電三極管的總稱）的光電流與照度之間的關系曲線，分別示出了硅光電二極管和硅光電三極管的光照特性曲線。從圖中看出，硅光電二極管光照特性的線性較好，而硅光電三極管的光電流在弱光照時有彎曲，強光照時又趨向于飽和，只有在某一段光照范圍內線性較好，這都是由于硅光電三極管的電流放大倍數在小電流或大電流時都下降而造成的，若采用較大面積的發射區e，能提高弱光照（發射結）時的電流密度，而使起始段線性，有利于弱光探測；反之，則有利于強光時的線性。

    2．伏安特性

   光電管的伏安特性表示為當入射光的照度（或光通量）一定時，光電管輸出的光電流與偏壓的關系。表示硅光電二極管和硅光電三極管的伏安特性曲線。由圖可見，硅光電三極管的伏安特性曲線與硅光電二極管的特性曲線稍有不同。

   ①在相同照度下，硅光電三極管的光電流比硅光電二極管大得多，一般硅光電三極管的光電流在毫安量級，程光電二極管的光電流在微安量級；

   ②在零偏置時硅光電二極管仍然有光電流輸出，而硅光電三極管沒有光電流輸出，這是因為光電二極管具有光生伏特效應，而硅光電三極管集電極雖然也能產生光生伏特效應，但因集電極無偏置電壓，沒有電流放大作用，故微小的電流在毫安級的坐標表示不出來；