源漏擴展結構(Source/Dr缸n Extension,SDE)在控制MOS器件的短溝道效應中起到重要作用。SDE(源漏擴展結構)引入了一個淺的源漏擴展區,R1EX24032ATAS0I以連接溝道和源漏區域。結深的微縮歸因于SDE深度的降低。隨著CMOS尺寸的降低,為控制短溝道效應,結深也需要相應的降低。然而,降低源漏擴展區的深度會導致更高的電阻。這兩個互相矛盾的趨勢要求新的工藝技術能夠在更淺的區域形成高活化和低擴散的高濃度結。

   根據ITRS提供的數據,不同技術節點的結深歸納如表2.4所示。

   表2,4 ITRs不同技術節點的結深結(junction)的制造I藝包含離子注人工藝和注人后退火工藝。離子注人需要小心控制以在最小化的注人損傷下,在近表面獲得高摻雜濃度。為滿足上述需求,新的I藝技術,

比如無定型化技術、分子離子注人技術和冷注人技術,已經得到應用。為得到摻雜劑的高活化和有限的摻雜劑擴散,注人后退火的熱預算非常關鍵。由于將摻雜原子置人晶格中的活化過程相比摻雜劑的擴散過程需要更高的活化能,快速升降溫的熱過程有利于高活化和低擴散。針對該目的而開發的毫秒級和亞毫秒級的退火技術已經應用于大規模工業生產。