DRAM是精密計算系統中的一個關鍵存儲器,并且在尺寸縮小和高級芯片設計的推動下向高速度、T-7115A-MC-DT高密度和低功耗的方向發展。盡管DRAM的數據傳輸速度已達到極限并且遠遠低于當前最新科技水平的微處理器,但它仍然是目前系統存儲器中的主流力量。基于深槽電容單元或堆棧電容單元有兩種最主要的DRAM技術[14d5J。圖3,16說明了在CMOS基準上添加深槽電容與堆棧電容流程來形成DRAM的工藝流程。堆棧單元在CMOS晶體管之后形成,主要應用于獨立的高密度DRAM。深槽單元可以在CMOS晶體管構建之前形成,更適合嵌人式DRAM與邏輯的集成。然而,深槽工藝造價很高,同時在深槽周圍可能會形成缺陷。圖3.17展示了一個DRAM單元的深槽和傳輸晶體管的橫截面[16]。

   浮體單元是相當有前景的一種結構,它通過將信號電荷存儲在浮體上,產生或高或低開關電壓和源漏電流(代表數字1或0)。這種浮體單元結構已經在90n技術節點下成功地應用于SOI和小單元尺寸(4卩)的體硅,可無損讀取操作,具有良好的干擾能力和保存時 間。寫操作可以基于接觸電離電流或者GIDL(寫1時)以及前向偏置結(寫0時)。因為結處漏電的緣故,SC)I上FBC DRAM的潛在記憶時間要比在體硅上的久一些。整個制造流程和標準的CMC)S完全兼容,更加適合eDRAM應用。基于SOI的浮體結構的DRAM如圖3.18所示。