圖4,18是一個典型的多步沉積亥刂蝕HDP CVD的工藝。與一般的HDP相似,主要通 K4B2G1646C-HCH9過SlH4和02反應來形成SiO2薄膜。但是沉積過程的要求與傳統的HDP不同,傳統的HDP CVD要求側壁沉積盡可能薄以提供足夠的開口使反應粒子可以到達溝槽底部,最大限度實現從底部到頂部的填充。但是多步DEP ETCH的HDP CVD主要是以⒏O2的刻蝕為主導的,因此輪廓結構的控制更重要,最優化的沉積應該有足夠厚的側壁保護,對稱的沉積輪廓。應用材料的研究表明(見圖4.19),較低的沉積溫度(230~600℃)能夠很大地改善側壁的保護但又不損傷填充能力,同時可以通過調節沉積溫度將薄膜的應力從180MPa調到100MPa。一旦沉積條件確定后,填充能力可以通過每個循環中沉積和刻蝕的量來優化。

   降低每個沉積過程的沉積厚度可以實現更多次的輪廓調整,但是這樣會增加沉積時間也引入更多的F,有可能會對器件可靠性造成影響。而沉積過程中的物理轟擊氣體分子量越大,可以在溝槽頂部形成Cuspil△bo來以保護溝槽頂部在刻蝕過程中不被損傷。日前主要采用He為主的He/H2混合,主要想通過保證填充能力的同時為溝槽頂部提供足夠的保護。