刻蝕過程是多步deΓetch的關鍵步驟,刻蝕過程通過與NF3的反應去除掉Si02,由于NF3在溝槽不同部位的入射角不同,可以實現頂部刻蝕較多從而可以修整部分填充后的溝槽的形狀得到更容易填充的溝槽結構。K4B4G1646B-HCKO刻蝕過程所采用的載氣為H2,載氣的分子量越小,可以盡量減少物理轟擊的效果。另外刻蝕的對稱性對最后的完全填充非常重要,尤其在品片邊緣,由于F rradical的方向性,這種不對稱性就更加嚴重,可以通過調節壓力、N凡氣體流量、襯底偏壓大小以及刻蝕化學物質來對對稱性進行優化。刻蝕的量必須進行非常好的控制。對于特定的溝槽結構,要進行沉積和刻蝕量的優化,盡可能達到填充、沉積速率以及刻蝕Window的平衡。

   另外為了盡可能降低薄膜中由于NF3刻蝕而引人的「。刻蝕結束后,引人Ar/o2/He/H2等離子體處理可以去除薄膜中所殘留的F,通過調整等離子體處理的時間和功率大小可以 化等離子體處理工藝,將薄膜中的F含量降低到0,07at.%[2]。多步沉積亥刂蝕填滿溝槽后,進一步沉積一層高溫的Sio2薄膜,作用有二,進一步去除薄膜中殘留的F以及提高薄膜的質量。