氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。TAS5342DDV氧化硅薄膜可以通過熱氧化(thermal°xidation)、化學氣相沉積(chemical vapor dcposition)和原子層沉積法(Atomic I'ayer Deposition,AID)的方法獲得。如果按照壓力來區分的話,熱氧化一般為常壓氧化I藝,常見的機器有多片垂直氧化爐管(oxlde ftlmace,TEI'或KE),快速熱氧化(Rapid Thermal Oxidati°n,RTO,應用材料公司)等。化學氣相沉積法一般有低壓化學氣相沉積氧化(I'ow Pressure Chemical Vapor Dcposition,LPCVD,TEI'或KE)工藝,半大氣壓氣相沉積氧化(Sub atmosphehc Pressure Chemical Vapor

Deposition,SACVD,應用材料公司)工藝,增強等離子體化學氣相層積(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVD,應用材料公司)等,常見的機器有多片垂直氧化沉積爐管(TEI',KE),單片腔體式的沉積機器(應用材料公司)和低壓快速熱退火氧化機器(應用材料公司)。原子層沉積法獲得的氧化膜也是一種低壓沉積,在45nm以上的工藝中采用比較少,但在45nm以下工藝技術中開始大量采用,主要是為了滿足I藝的階梯覆蓋率的要求。常見的機器有多片垂直原子層沉積氧化爐管(TEI',KE),單片腔體式的原子沉積機器(應用材料公司)。