HKMG(高七介質層+金屬柵極)整合工藝

   目前在制作HKMG結構晶體管的工藝方面,業內主要存在兩大各自固執己見的不同陣營,TC74HC4075AP分別是以IBM為代表的gate first(先柵極)工藝流派和以Inte1公司為代表的gat⒍last(后柵極)工藝流派(見圖6.2)「3]。后柵極I藝叉分先高々和后高乃兩種不同方法,圖6.2所示為先高乃后柵極工藝,Intel公司在媽nm采用,到32nm后轉為后高乃后柵極工藝。一般來說使用gate伍rst工藝,高慮介質和金屬柵極必須經受漏源極退火I藝的高溫,因此實現HKMG結構的難點在于如何控制PMC)S管的V1電壓(閾值電壓);而gat⒍last工藝雖然工藝復雜,芯片的管芯密度同等條件下要比gate first工藝低,但是金屬柵極不需要經受高溫過程,不論先高乃還是后高乃。因此先柵極金屬柵材料的選擇非常困難。