由于添加劑的作用,實際填XC17512LPI洞是以底部上長(bottom up)的方式進行的,孔槽底部的生長速率大于側壁和開口處的生長速率,在填滿孔槽的瞬間還會繼續沖高生長,最終有孔槽部分的膜的厚度高于空曠區域的銅膜的厚度,這個厚度的差異就是過電鍍(ovcr plating)。與各向同性(conform)的長膜方式比較,底部上長方式可以得到中間沒有縫隙的填洞。過電鍍的高度受線寬的影響較大,線寬越小,過電鍍的高度越大,而且隨著所鍍膜厚度的增加而增加,如圖6.39所示。隨著線寬增加,過電鍍的高度減小,當線寬達到一定程度后,將不再存在底部上長機制,銅膜將按照硅片本來的結構生長。實際集成電路設計中有各種線寬,因此,微觀上就會在硅片上出現圖6.40的結構,這將給隨后的化學機械研磨造成很大的難度,嚴重時甚至出現銅殘留,形成短路。對于過電鍍這個問題,目前工業界沒有辦法完全消除,但可以降低。其中一個有效的途徑就是采用更加先進的有機添加劑,主要是增加平整劑的平整能力或者直接增加平整劑的濃度。