盡管存在一些相似性,集成電路XC1765DPD8C中的光刻技術使用光而不是墨水P有墨水和沒有墨水的池方也變戍了在掩膜版上有光和沒有光的地方。在集成電路制造業中,hthography也此被叫做Photolithography,或者光刻。就像油性的墨水有選擇地沉積到石灰石上,光只能 夠通過掩膜版上透明的區域,投射光被記錄在一種叫做光刻角的光敏感材料上。光刻過程的簡單示意圖如圖7,1所示。

   由于光刻膠經過紫外(UV)光的照射后會經歷在顯影液中溶解率的變化,掩膜版上的圖形會因此被轉移到硅片頂層的光刻膠層上。有光刻膠覆蓋的地方可以通過阻止進一步的I藝處理(如刻蝕或耆離子注人)來實現掩膜版圖形的進一步轉移。

   自從1960年以來的光刻技術可以分成以下三種類型:接觸式曝光、接近式曝光和投影式曝光。最早出現的是接觸式或者接近式曝光[3Jl,這種曝光方式直到⒛世紀中期一直是制造業的主流。對接觸式曝光來講,由于掩膜版和硅片頂層之間理論上沒有空隙,分辨率不是問題。但是,由于接觸會造成掩膜版和光刻膠的磨損而產生缺陷,人們最終選擇了接近式曝光。當然,在接近式曝光中,雖然缺陷被避免了,但是由于存在空隙和光的散射,接近式曝光的分辨率被限制在3um或者更大。