眾所周知,一種繼XC1765ELSO8I續發展光刻技術的方向是縮小波長。但是,這種努力被一些因素所困擾,如開發合適的157nm光刻膠,掩膜版保護膜(pelliclc)以及鏡頭材料氟化鈣(CaF2)的生產量等。不過,最近⒛多年,人們對極紫外(Extremcly Ultra―Violet,EUV)波長的光刻技術還是投人了大量的研究。這種技術使用強激光或者高壓放電產生的氙或者錫等離子體發射的13,5nm的極紫外光[5]。雖然極紫外技術所帶來的高分辨率很吸引人,但是該技術也有很多技術困難,如反射鏡容易被脈沖產生的飛濺物質所沾污,極紫外光很容易被吸收(要求系統有極高的真空度和最少的反射鏡片數),對掩膜版的苛刻要求(沒有缺陷以及高反射率),由于波長短所引起的散光(Ⅱare),光刻膠的反應速度以及分辨率等。除了使用傳統意義上的光來傳遞掩膜版圖形外,人們還在尋找其他微刻方法,如X光、納米壓印、多電子束直寫、電子束、離子束投影等。