圖8.8描述在37mTorr壓力下,=種不同的線圈設計時電子溫度和O;密度的模擬結果。 VP101X12CQC-1一般來說,(汀是光刻膠的主刻蝕劑之一。正離子密度分布取決于沉積功率、壓力和反應器的幾何尺寸比(半徑/高度)。通常相對于線圈中間,沉積功率會在偏離軸心的位置產生最大值。然而,離子的峰值在軸心~上,并迅速衰減。偏離軸心的最大值都小于預期的這些數值的最高值。電子溫度的分布通常遵循沉積功率的分布,它從石英窗下的最大值迅速地下降,在等離子體外到達更低的Te。除了設計為單圈線圈在石英窗口下電子溫度峰值的環形變窄以外,單圈線圈和鐘形線圈的電子溫度與平面三圈線圈的是相類似的。鐘形線圈的OJ的密度分布與三圈線圈是相類似的,而單圈線圈下降了10%。采用鐘形線圈設計的OJ密度峰值更接近晶圓表面。

   空問信息的直接模型驗證不可避免地導致高維輸出,從而降低了計算效率和模型精度。一個有希望實現空間變量建模的解決方案是尋找一個盡可能代表高維空間的低維子空問。也就是將少數壓縮了的變量,用來代表沿晶圓半徑(2D)或者整個晶圓(3D)分布的大量原始參數,然后將少數壓縮變量與各種輸入,比如壓力、ICP功率、RF偏置和氣體流速相關聯。在現有的減少維度的方法中,PCA和小波壓縮被證明為⒈D/2D數據壓縮和信息提取技術,2D數據/圖像壓縮技術對于不均勻功率沉積的非對稱刻蝕速率、抽氣口、進氣口的模擬是至關重要的。