Zhang(⒛02年)「nJ應用神經網絡就四個操控輸人與基于2D MPRES試驗設計的壓縮了的⒈D刻蝕速率之間的關系進行了驗證。圖8.9顯示的是前兩個的“得分”,VS1003B它們是從小波壓縮變化及ICP功率與流速的函數得來的,腔內壓力定為15mT。rr,RF偏置幅度為500V。第一個得分表示最低水平的近似刻蝕速率分布變化,它反映的是刻蝕速率分布的最低頻率。第二個得分捕獲到最低水平下刻蝕速率分布的細節,它們都顯示出非線性。對于固定的ICP功率,當流速變化時,可以注意到第一個得分的單調變化。第二個得分也有類似的趨勢,指出刻蝕速率隨氣體流速上升而減少。這可以解釋為隨著流速的增加,離子與中性粒子間的碰撞增強了,并且離子在穿越鞘時損失了能量。罔定流速,ICP功率對于兩個得分都形成了山形響應面。這可以解釋成ICP功率和RF偏置的協同效應,見公式(83)c當RF偏置減小,“山”也將減小,囚為在低RF偏置、高ICP功率時,刻蝕速率被限制在離子反應區。

   圖8.9 小波壓縮的得分響應表面作為rP功率和流速的函數