使用共金貼片工藝的示意圖
發布時間:2017/11/22 21:24:06 訪問次數:1914
一般芯片顆粒背后銀膠層厚度為5um。同時芯片顆粒周邊需要看到銀膠溢出痕跡,保OB2536AP證要有90%的周邊溢出痕跡(見圖19.8)。
圖19.8 貼片及打線工藝完成后的截面照片,芯片顆粒外圍可見溢出現象其他的常用貼片模式之一,主要是使用共金熔焊模式取代銀膠(見圖19.9).
圖199 使用共金貼片工藝的示意圖
其他的常用貼片模式之二・主要是使用焊錫絲熔焊模式取代銀膠芯片顆粒小的產品(見圖19.10),貼片的速度可以提高:但是對于芯片顆粒超大的產品.貼片時需保證誤差度在50um以內.所以速度要放慢:針對超薄的芯片顆粒.必須用慢速及特昧的芯片顆粒吸取吸頭,以保證芯片顆粒不會被破壞或出現微裂紋.
一般芯片顆粒背后銀膠層厚度為5um。同時芯片顆粒周邊需要看到銀膠溢出痕跡,保OB2536AP證要有90%的周邊溢出痕跡(見圖19.8)。
圖19.8 貼片及打線工藝完成后的截面照片,芯片顆粒外圍可見溢出現象其他的常用貼片模式之一,主要是使用共金熔焊模式取代銀膠(見圖19.9).
圖199 使用共金貼片工藝的示意圖
其他的常用貼片模式之二・主要是使用焊錫絲熔焊模式取代銀膠芯片顆粒小的產品(見圖19.10),貼片的速度可以提高:但是對于芯片顆粒超大的產品.貼片時需保證誤差度在50um以內.所以速度要放慢:針對超薄的芯片顆粒.必須用慢速及特昧的芯片顆粒吸取吸頭,以保證芯片顆粒不會被破壞或出現微裂紋.
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