SIT的基本結構及電路圖形符號如圖2.22所示,在N+型襯底上外延高阻N^層,然后在N高阻外延層內擴散若干個蘆區,再在其頂部另外擴散一個N+層。 DA28F160S3100從襯底上引出的電極叫漏極D,將P區連在一起后,引出的電極叫柵極G,從擴散的N+層上引出的電極稱為源極S。SIT也是采用垂直導電形式的多細胞集成結構。

   SIT的工作原理如下:當“柵一源”和“漏一源”之間都不加電壓時,相鄰兩個/區之間存在電中性區溝道,這時,若在“漏一源”兩端加正向電壓,則有電流流過溝道,“漏一源”電壓越高,溝道電流越大,相當于器件處于導通狀態。SIT工作時,是在“柵一源”間加負偏壓,使得PN結的空間電荷區變厚,溝道變窄,電子勢壘變大。進一步分析表明,電子勢壘的大小,不僅與負柵偏壓已憶s有關,而且與正的“漏一源”電壓I/Ds有關。負柵偏壓乙憶s的絕對值越大,電子勢壘越高;正“漏一源”電壓IrDs越大,電子勢壘越低。因此,可以通過改變己憶s和I/Ds的大小,控制溝道的電位分布與勢壘高度,從而控

制“漏一源”電流的大小。由于SIT的溝道電位分布及勢壘高度是由已鈦和乙鈦的靜電場形成的,因而將器件命名為靜電感應晶體管。