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基于虛擬扇區的Flash存儲管理技術

發布時間:2007/8/30 0:00:00 訪問次數:814

引言
隨著嵌入式系統的迅速發展和廣泛應用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡單,外圍器件少,價格低廉的非易揮發存儲器件。閃存Flash存儲介質就是在這種背景需求下應運而生的。它是一種基于半導體的存儲器,具有系統掉電后仍可保留內部信息,及在線擦寫等功能特點,是一種替代EEPROM存儲介質的新型存儲器。因為它的讀寫速度比EEPROM更快,在相同容量的情況下成本更低,因此閃存Flash將是嵌入式系統中的一個重要組成單元。
然而,由于Flash讀寫存儲的編程特點,有必要對其進行存儲過程管理,以使整個系統性能得以改善。
1 閃存Flash的存儲編程特點
Flash寫:由1變為0,變為0后,不能通過寫再變為1。
Flash擦除:由0變為1,不能只某位單元進行擦除。
Flash的擦除包括塊擦除和芯片擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內容都變為1,芯片擦除是把整個Flash的內容都變為1。通常一個Flash存儲器芯片,分為若干個擦除block,在進行Flash存儲時,以擦除block為單位。
當在一個block中進行存儲時,一旦對某一block中的某一位寫0,再要改變成1,則必須先對整個block進行擦除,然后才能修改。通常,對于容量小的block操作過程是:先把整個block讀到RAM中,在RAM中修改其內容,再擦除整個block,最后寫入修改后的內容。顯然,這樣頻繁復雜的讀-擦除-寫操作,對于Flash的使用壽命以及系統性能是很不好的,而且系統也常常沒有這么大的RAM空間資源。一種基于虛擬扇區的管理技術可以有效地控制Flash的擦寫次數,提高Flash的使用壽命,從而提高系統性能。
2 基本原理
2.1概念
VSS(Visual Small Sector),虛擬小扇區:以它為單位讀寫Flash內容。
VSS ID(Visual Small Sector Identity),虛擬小扇區號:只通過虛擬扇區號進行存儲,不用考慮它的真實物理地址。
SI(Sector Identity),分割號:一個擦寫邏輯塊中物理扇區的順序分割號。
BI(Block Identity),塊號:Flash芯片中按擦除進行劃分的塊號。
SAT(Sector Allocate Table),扇區分配表:一個擦寫邏輯塊中的扇區分配表。一個SAT由許多SAT單元組成,一個SAT表對應一個Block,一個SAT單元對應一個VSS。
每個SAT單元最高兩位為屬性位,后面各位為VSS ID號。如果一個SAT單元由16位組成,則VSS ID最大可以達到16×1024;而如果SAT單元由8位組成,則VSS ID最大可以達到64,具體約定由應用情況而定。
2.2 實現原理
把每個block分為更小的虛擬邏輯塊(visual small sector),稱為虛擬扇區,扇區大小根據應用而定。每個block前面的一固定單元用于記錄本block中扇區分配的使用情況(即扇區分配表),包括扇區屬性及扇區邏輯號。圖1為邏輯扇區劃分示意圖。
在進行數據讀寫和修改時,以虛擬扇區塊的大小為單位。要修改某一扇區的數據時,先讀出這個扇區的內容,重新找一個未使用的扇區,把修改后的內容寫入這個新扇區。然后,修改原來扇區的屬性值為無效,修改這個新扇區的屬性為有效,拷貝VSS ID號到新扇區對應的SAT單元中。
這樣,當某一個block中的SAT屬性都標為無效時,才對當前block進行擦寫。可見,以虛擬扇區大小為單位的存儲管理,對Flash塊的擦寫次數可大大減少,從而提高了系統性能。




3 VSS管理實現要點
3.1 常數部分
#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根據Flash型號修改
#define SECTORSIZE 512 //可根據Flash型號及應用情況修改
#define MAX_BLOCK 8 //可擦除塊個數
#define MAX_SI_1B 255 //每個可擦除塊中有效SI個數
#define SATSIZE 510 //扇區分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值
3.2 數據結構部分
unsigned char VSS_Table[MAX_BLOCK][MAX_SI_1B/8];用于記錄Flash中各個block的使用情況。數組中的某位為1,表示相應sector為未使用;否則,為已經寫過,系統通過這個表可以跟蹤各個block的使用情況。
3.3 函數功能部分
1) Flash_Format()//擦除整塊Flash存儲介質。
2) Flash_Init()//對VSS管理系統參數進行初始化,填充VSS_Table表,統計Flash的使用情況。在系統復位初始時調用。
3) Block_Erase(int blockID)//擦除塊號為block ID的塊。
4) Find_VSS(int vss)//查找VSS所在的block ID及分割號SI。
5) Get_Addr(int vss)//取得VSS所在的物理地址。
6) Scan_SAT(int blockID)//整理塊號為block ID的SAT,填充VSS_Table[]。
7) Flash_Read(long addr,char *pdata,int len)//從物理地址為addr的Flash處讀取len個字節到pdata。
8) Flash_Write(long addr,char *pdata,int len)//寫pdata中長度為len的數據到指定地址為addr的Flash中。
9) Read_Sat

引言
隨著嵌入式系統的迅速發展和廣泛應用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡單,外圍器件少,價格低廉的非易揮發存儲器件。閃存Flash存儲介質就是在這種背景需求下應運而生的。它是一種基于半導體的存儲器,具有系統掉電后仍可保留內部信息,及在線擦寫等功能特點,是一種替代EEPROM存儲介質的新型存儲器。因為它的讀寫速度比EEPROM更快,在相同容量的情況下成本更低,因此閃存Flash將是嵌入式系統中的一個重要組成單元。
然而,由于Flash讀寫存儲的編程特點,有必要對其進行存儲過程管理,以使整個系統性能得以改善。
1 閃存Flash的存儲編程特點
Flash寫:由1變為0,變為0后,不能通過寫再變為1。
Flash擦除:由0變為1,不能只某位單元進行擦除。
Flash的擦除包括塊擦除和芯片擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內容都變為1,芯片擦除是把整個Flash的內容都變為1。通常一個Flash存儲器芯片,分為若干個擦除block,在進行Flash存儲時,以擦除block為單位。
當在一個block中進行存儲時,一旦對某一block中的某一位寫0,再要改變成1,則必須先對整個block進行擦除,然后才能修改。通常,對于容量小的block操作過程是:先把整個block讀到RAM中,在RAM中修改其內容,再擦除整個block,最后寫入修改后的內容。顯然,這樣頻繁復雜的讀-擦除-寫操作,對于Flash的使用壽命以及系統性能是很不好的,而且系統也常常沒有這么大的RAM空間資源。一種基于虛擬扇區的管理技術可以有效地控制Flash的擦寫次數,提高Flash的使用壽命,從而提高系統性能。
2 基本原理
2.1概念
VSS(Visual Small Sector),虛擬小扇區:以它為單位讀寫Flash內容。
VSS ID(Visual Small Sector Identity),虛擬小扇區號:只通過虛擬扇區號進行存儲,不用考慮它的真實物理地址。
SI(Sector Identity),分割號:一個擦寫邏輯塊中物理扇區的順序分割號。
BI(Block Identity),塊號:Flash芯片中按擦除進行劃分的塊號。
SAT(Sector Allocate Table),扇區分配表:一個擦寫邏輯塊中的扇區分配表。一個SAT由許多SAT單元組成,一個SAT表對應一個Block,一個SAT單元對應一個VSS。
每個SAT單元最高兩位為屬性位,后面各位為VSS ID號。如果一個SAT單元由16位組成,則VSS ID最大可以達到16×1024;而如果SAT單元由8位組成,則VSS ID最大可以達到64,具體約定由應用情況而定。
2.2 實現原理
把每個block分為更小的虛擬邏輯塊(visual small sector),稱為虛擬扇區,扇區大小根據應用而定。每個block前面的一固定單元用于記錄本block中扇區分配的使用情況(即扇區分配表),包括扇區屬性及扇區邏輯號。圖1為邏輯扇區劃分示意圖。
在進行數據讀寫和修改時,以虛擬扇區塊的大小為單位。要修改某一扇區的數據時,先讀出這個扇區的內容,重新找一個未使用的扇區,把修改后的內容寫入這個新扇區。然后,修改原來扇區的屬性值為無效,修改這個新扇區的屬性為有效,拷貝VSS ID號到新扇區對應的SAT單元中。
這樣,當某一個block中的SAT屬性都標為無效時,才對當前block進行擦寫。可見,以虛擬扇區大小為單位的存儲管理,對Flash塊的擦寫次數可大大減少,從而提高了系統性能。




3 VSS管理實現要點
3.1 常數部分
#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根據Flash型號修改
#define SECTORSIZE 512 //可根據Flash型號及應用情況修改
#define MAX_BLOCK 8 //可擦除塊個數
#define MAX_SI_1B 255 //每個可擦除塊中有效SI個數
#define SATSIZE 510 //扇區分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值
3.2 數據結構部分
unsigned char VSS_Table[MAX_BLOCK][MAX_SI_1B/8];用于記錄Flash中各個block的使用情況。數組中的某位為1,表示相應sector為未使用;否則,為已經寫過,系統通過這個表可以跟蹤各個block的使用情況。
3.3 函數功能部分
1) Flash_Format()//擦除整塊Flash存儲介質。
2) Flash_Init()//對VSS管理系統參數進行初始化,填充VSS_Table表,統計Flash的使用情況。在系統復位初始時調用。
3) Block_Erase(int blockID)//擦除塊號為block ID的塊。
4) Find_VSS(int vss)//查找VSS所在的block ID及分割號SI。
5) Get_Addr(int vss)//取得VSS所在的物理地址。
6) Scan_SAT(int blockID)//整理塊號為block ID的SAT,填充VSS_Table[]。
7) Flash_Read(long addr,char *pdata,int len)//從物理地址為addr的Flash處讀取len個字節到pdata。
8) Flash_Write(long addr,char *pdata,int len)//寫pdata中長度為len的數據到指定地址為addr的Flash中。
9) Read_Sat

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