氧化硅膜隨著稀HF的溶解,顆粒和離子污染一并去除,這時的硅表面非常潔凈,只有A278308L-12鍵,ml且表面是疏水性。這樣的表面有很強的活性和不穩定性,易吸附污染(顆粒、金屬)和被氧化。囚此,對于H,last的表面處理,首先要快速進人下一道制程,控制兩道制程間的時間(Q time);或者把晶片盒存放在氮氣柜里或超凈環境加以保護。

   有機物、金屬、顆粒的去除(SC1):這一步是在(1)或(1)+(2)的基礎上使用,或單獨使用,以去除少量吸附的有機物,絡合一、二、八副族金屬(如Cu,Ag,Au,Cd,Co,Ni等),SCl可氧化晶片表面的硅,生成一層化學氧化膜,同時叉可溶解氧化硅膜,一些顆粒的去除就是基于這種機理。值得注意的是SC1,使用一段時間后,H202一部分消耗,一部分

分解,溶液中H202濃度會顯著降低,而高濃度的氨,可快速溶解硅,造成晶片表面粗糙不平整,所以使用中需要定時補加H202和NH】OH。

   較早公開使用的SC1濃度一般較高,NH4OH:H202:H2O比例為1:1:5,溫度70℃左右。經過逐步開發和完善,濃度和溫度都朝更低的方向發展,在不改變去除能力的前提下,質量得到F保證,耗費也大大降低。現今普遍使用的濃度為NHlΘH:H203:HJO比例為1:2:50或1:2:100,溫度35℃至室溫。

   殘留原子、離子污染物的去除(SC2):SC1可去除一些重金屬和貴金屬,但另一些不溶于堿性溶液的金屬(如Al、Fe、Ca等),就該用酸性的SC2溶解去除。和SC1一樣,起初濃度和溫度較高;現今使用濃度為HCl:H202:H20比例為1叫:50或1:1:100及其他,溫度35℃至室溫。

   據報道,還有一種被叫做“IMEGClean”的清洗方法,可替代RCA。它是把高濃度的臭氧注入DI水中,形成03水,然后結合其他的化學品,組合成一個清洗污染物的方法。例如,03溶人H2⒏)l可替代SPM,去除有機物。接著用優化稀釋的HF/HCl去除第一步的化學氧化膜。最后03水氧化去除輕的有機物、金屬和顆粒;這一步也有報道達到同樣的效果;(),氧化有機物的同時,也氧化品片硅,形成薄層氧化膜保護硅.