H5TQ2G63BFR-RDC

   四苯基硅烷衍生物是一類具有較高能隙。的惰性材料,即它們HOMO能級非常低6.3~7.2eV),而載流子輸運特性不好。將這類材料用于磷光的主體材料的研究也有報道113氣180,192,193l。UGH1、UGH3、UGH2、 BsB及BsT是一些四苯基硅烷衍生物的分子結構。由 于這類材料極低的HOMO能級和較差的導電性,基于它們和磷光摻雜材料的器件,驅動電壓通常很高,器件機制通常為載流子直接在摻雜材料上的捕獲。例如,基于BsB和FIrpytz的藍色PhOLED,最大效率為19.3%、37,8od/A、16,81m/W, 器件的開啟電壓為5,1Vl1刈。

    熒光配合物也可以用作磷光的主體材料,包括到、BelbqJ19sl、

及Beωp)2m劍。使用熒光配合物作為主體材料的器件通常驅動電壓較低,并且器件結構簡單。由于三線態能級不夠高,它們作為藍

色磷光的主體材料較為困難。基于Zn(BTP)2(ET=2,5eV)和△(piq)3的紅光器件效率為8,6cd/A(8,81m/W及10,3%)。研究表明,Berbq)2具有電子傳輸特性,且分子單線態與三線態之間的差別較小。基于Be(bq)2和k(piΦ3的器件可采用非常簡單的雙層結構,器件效率為9.7cd/A6,91WW)o類似地,基于Belpp)2和k(ppy)3的器件也可采用雙層結構,器件效率為38,3cd/A←6,61WW)。 如前面所提,如果主體材料是磷光發射材料,通過適當選擇,從主體材料到磷光摻雜材料的能量轉移,可通過快速且長距離的F打ster過程實現。

由此,可以避免在PhOLED中通常需要的高摻雜濃度。另外,使用磷光主體材料的另一個優點是器件的驅動電壓通常較低。因為理論上,對于相同的三線態能級,磷光材料的能隙要小于熒光材料,因此磷光主體材料的HOMO能級較淺,或者LUMO能級較深,有助于空穴或者電子的注人,導致較低的驅動電壓。然而,由于磷光材料較昂貴,不適合做主體材料,基于磷光主體材料的器件研究較少。較早的工作包括以L(ppy)3作為紅光鉑配合物的主體材料的研究。