去除試樣樣品氦氣吸附
發布時間:2019/5/16 20:28:53 訪問次數:1581
去除試樣樣品氦氣吸附
GJB548B-20Ⅱ方法1014中3,1,1明確規定:“將待測樣品置于密封室內,然后在規定的壓力下用1O0%的氦氣對密封罐加壓,經過規定的時間(rl)后去除壓力, H5TQ2G63BFR-RDC樣品從真空密封罐內取出后應去除樣品表面吸附的氦氣”。但卻沒有規定用何種方法去除。試驗表明氦氣吸附是影響檢測結果準確性的重要因素。
干燥空氣流動法除去氦氣吸附的效果較高溫存儲法效果差。對于諸如陶瓷封裝的多孔結構殼體即使延長時間,去除效果也未見明顯增加,與長期放置在空氣中去除氦氣效果相同。但對常規封裝材料有明顯作用,并且干燥空氣流動法的優點在于操作快捷,未對樣品產生額外應力,去除氦氣吸附效率也較高。為了方便對集成電路密封細檢漏去除氦氣吸附方法進行選擇,其說明見表⒋4。
表⒋4 集成電路密封細檢漏去除氦氣吸附方法
去除試樣樣品氦氣吸附
GJB548B-20Ⅱ方法1014中3,1,1明確規定:“將待測樣品置于密封室內,然后在規定的壓力下用1O0%的氦氣對密封罐加壓,經過規定的時間(rl)后去除壓力, H5TQ2G63BFR-RDC樣品從真空密封罐內取出后應去除樣品表面吸附的氦氣”。但卻沒有規定用何種方法去除。試驗表明氦氣吸附是影響檢測結果準確性的重要因素。
干燥空氣流動法除去氦氣吸附的效果較高溫存儲法效果差。對于諸如陶瓷封裝的多孔結構殼體即使延長時間,去除效果也未見明顯增加,與長期放置在空氣中去除氦氣效果相同。但對常規封裝材料有明顯作用,并且干燥空氣流動法的優點在于操作快捷,未對樣品產生額外應力,去除氦氣吸附效率也較高。為了方便對集成電路密封細檢漏去除氦氣吸附方法進行選擇,其說明見表⒋4。
表⒋4 集成電路密封細檢漏去除氦氣吸附方法
上一篇：細檢漏(氦質譜檢漏法)
上一篇：粗檢漏(氟碳化合物粗檢漏試驗法)
相關技術資料- 5-16去除試樣樣品氦氣吸附
- 4-21器件機制通常為載流子直接在摻雜材料上的捕獲
- 相關IC型號
- H5TQ2G63BFR-RDC
- 暫無最新型號
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