空間輻射環境中存在的各種高能射線粒子,如質子、電子、α粒子、重離子等。 M24M01-RMN6TP這些高能射線或粒子入射到半導體器件中時,會發生單粒子效應,導致器件失效。單粒子效應叉稱單粒子事件(Si唣kE妮nt E氏c“,SEE),是高能粒子射入半導體器件后,由于電離效應所引起的一類輻射效應的總稱,包括軟錯誤和硬錯誤。單粒子效應按照效應的現象分為單粒子翻轉、單粒子鎖定、單粒子瞬態等多種,sEE是包含所有單粒子效應的通用術語,幾種典型的單粒子效應的縮略語如表3-12所示。

   表⒊12 幾種典型的單粒子效應縮略語列表

   (l)單粒子翻轉(SEU),即高能粒子引起器件邏輯狀態的改變,這種改變是可逆的。

    (2)單粒子功能中斷(SE∏).巳「高能粒子引起器件的功能異常。

   (3)單粒子鎖定(sEL,丿,盯高能粒子引起CMOs器件的可控硅效應。

   (4)單粒子燒毀(SEB),主要發生在功率器件中的空間輻射效應,將使器件發生不可逆的故障而失效c

   (5)單粒子柵穿(SEGR),即高能粒子引起的柵極絕緣擊穿。前面兩種效應(SEU、SEFI)為軟錯誤。SEU和sEFI僅僅改變了內部存儲單元的狀態,或者短時間內對器件中的某些節點產生一個干擾信號。此類效應可以通過對器件的復位,讓芯片正常工作。后面3種效應(SEL、SEB、SEGR)為硬錯誤或永久性損傷,這些效應會使器件中的晶體管徹底失效不工作。