表9.4中比較了本節包含的各種平面內TEG器件。為了便于比較,輸出電壓和輸出功率對于溫差和面積都做了歸一化處理。由表可以看出,OPA1612AIDRGR平面內TEG器件具有相對較高的輸出電壓,而輸出功率較低。這主要是因為平面內TEG具有較大的內部電阻。

    表9.4 各種平面內TEG器件性能對比

    假設芯片立在側壁上。面交叉厚膜TEG:面交叉厚膜TEG膜厚在十微米數量級到百微米數量級。如此厚的膜組成的熱電偶通常可以通過預先設計好的模具、傳統的機械制造甚至手動操作來造。因此,熱電偶的尺寸相對較大,尤其相比于在接下來內容中闡述的面交叉薄膜TEG器件。例如,日本精工集團開發的TEG器件上的熱電偶腿的尺寸為80um×gOum×ω0um,如圖9.9所示22-c面交叉厚膜TEG通常只包含有限數量的熱電偶,大多不超過⒛0根。同時由于

ⅡTe化合物的較低的熱電轉換特 性,使得面交叉厚膜TEG輸出電壓在中等范圍。

    表9.5列出了相關文獻中報道的面交叉厚膜TEG的技術細節。注意,參考文獻中沒有明確給出的參數是通過圖表或者數字中提取的。對于面交叉厚膜TEG,單位溫差下的輸出電壓通常在mⅤ級別,而輸出功率可以達到uW級別。這主要是因為面交叉厚膜TEG具有相對大的幾何結構和金屬互連較大的接觸面積產生了較低的內部電阻。噴氣推進實驗室制造的碲化鉍TEG器件的內部電阻僅有1z~30Ω[23]。