NTZD3156CT1G基本門電路的表示方式，PLD中基本門電路符號如圖4.5.3所示。圖4.5.3(a)和圖4.5,3(b)分別為與門L1=ABC和或門無2=處+B+C。由于L3=AAB B=0,圖4.5.3(c)給出了與門輸出恒等于0的簡化畫法。圖4.5,3(d)中與門的所有輸入項均不接通,保持“懸浮”的1狀態,即L4=1。圖4.5.3(e)為具有互補輸出的輸入緩沖器。圖4.5.3(f)為三態輸出緩沖器。

編程連接技術，早期的PLD采用雙極型連接技術,對于圖4.5.4(a)的邏輯電路,單元的連接是由一個二極管與金屬熔絲串接在一起,如圖4,5.4(b)所示。編程時,用比工作電流大許多的電流,將不需要連接的熔絲燒斷。由于熔絲燒斷后不能恢復,這種方法只能進行一次編程。在門陣列中表示“單元”連接狀況的陣列圖,稱為熔絲圖,并且這個名稱被沿用下來。

在CMOs的PLD中,常采用可擦除的編程方法,即可以對器件進行多次編程。可擦除CMOs技術用浮柵MOs管代替“熔絲”,如圖4.5.4(c)所示,圖中MOs管為浮柵MOs符號,它可以是疊柵注人MOs、浮柵隧道氧化層MOs或快閃疊柵MOs管中的任意一種。未經編程的浮柵MOs管,與普通N溝道增強型MOS管一樣,當柵極加正常的邏輯高電平時,管子處于導通狀態,否則截止。而經過編程處理的浮柵MOs管,始終處于截止狀態,相當于“熔絲”斷開一樣。

根據圖4.5.4(a)所示電路的邏輯要求,經過編程將圖4.5.4(c)中的T2、T4斷開。由于輸入信號接在MOs管的柵極,所以輸人信號低電平有效,即A=0,A=1時,T1導通,無論輸人信號C為何值,乙=0。當A、c均為1時,T1、T3均截止,L=1。所以該電路實現與邏輯藝=AC。另外在圖4.5.4(c)中,上拉電阻實際是由P溝道MOs管構成的。

浮柵MOs管開關，上面介紹了可擦除PLD采用浮柵MOs管,而浮柵MOs管又分為疊柵注入MOs(SIMOs①)管、浮柵隧道氧化層MOS(Flotox MOs②)管和快閃(Flash)疊柵MOs管。不同的浮柵MOS管連接的PLD,編程信息的擦除方法也不同。SIMOs管連接的PLD,采用紫外線照射擦除;Flotox MOs管和快閃疊柵MOs

管,采用電擦除方法。