PCI950PTⅩ射線照射器件
發布時間:2019/10/13 17:35:30 訪問次數:2137
PCI950PTSIMOs管的結構及符號如圖4.5,5(a)所示。它是一個N溝道增強型MOs管,有兩個多晶硅柵極,控制柵gc和浮置柵gf。浮柵被絕緣的Sio2包圍著。編程處理前,浮柵上沒有電荷,與普通MOs管一樣。當控制柵加正常工作的高電平時,SIMOs管處于導通狀態,此時的開啟電壓為%1,轉移特性如圖4.5.5(b)所示。編程時漏源間加正電壓(大于12Ⅴ),漏極與襯底間的PN結產生雪崩擊穿,若同時在控制柵加脈沖電壓(幅值大于12Ⅴ),則雪崩產生的高能電子,在柵極電場的作用下,穿過Sio2層注人到浮柵上。編程電壓撤除后,因浮柵被絕緣層包圍,注入的電子無放電通路,可以長期保留,此時SIMOs管的開啟電壓升高到7”,特性曲線右移,如圖4,5.5(b)所示。因此,控制柵加正常邏輯高電平也不能達到其開啟電壓,SIMOs管始終截止,相當于斷開一樣。
擦除的方法是用紫外線或Ⅹ射線照射器件20min,則sio2層中將產生電子一空穴對,為浮柵上的電子提供泄放通道,使之放電,SIMOS管恢復到編程前的狀態。
Flotox MOs管開關,Flotox MOS管的結構及符號如圖4.5.6所示。它與SIMOS管相似,不同的只是其浮柵與漏區間有一個極薄的氧化層(2×10ˉ:m以下),稱為隧道區。當隧道區的電場強度足夠大時,漏區與浮柵之間便出現導電隧道,在電場的作用下,電子通過隧道形成電流,這種現象稱為隧道效應。同樣,編程處理前,浮柵上沒有電荷,與普通MOS管一樣。編程時源極、漏極均接地,控制柵加20V的脈沖電壓,隧道 圖4.5.6 Flotox MOS管的結構及符號區產生強電場,吸引漏區的電子通過隧道到達浮柵。撤除編程電壓后,浮柵上的電子可以長久保留,此時F1otox MOs管的開啟電壓升高,在正常邏輯電平下,始終關斷。
如果需要擦除編程信息,將管子漏極加20Ⅴ正脈沖電壓,控制柵接地,則浮柵上的電子在電場的作用下通過隧道回到漏區,管子恢復到編程前的狀態,從而達到擦除編程信息的目的。與SIMOs管相比,Flotox MOs管的編程和擦除都是通過在漏極和控制柵上加脈沖電壓,向浮柵注人和清除電荷的速度快、操作簡單,用戶可以在電路板上實現在線操作。實際上編程和擦除是同時進行的,每次編程時,是以新的信息代替原來的信息。Flotox MOs管也廣泛用于各種大規模可編程器件,作為可編程開關。
PCI950PTSIMOs管的結構及符號如圖4.5,5(a)所示。它是一個N溝道增強型MOs管,有兩個多晶硅柵極,控制柵gc和浮置柵gf。浮柵被絕緣的Sio2包圍著。編程處理前,浮柵上沒有電荷,與普通MOs管一樣。當控制柵加正常工作的高電平時,SIMOs管處于導通狀態,此時的開啟電壓為%1,轉移特性如圖4.5.5(b)所示。編程時漏源間加正電壓(大于12Ⅴ),漏極與襯底間的PN結產生雪崩擊穿,若同時在控制柵加脈沖電壓(幅值大于12Ⅴ),則雪崩產生的高能電子,在柵極電場的作用下,穿過Sio2層注人到浮柵上。編程電壓撤除后,因浮柵被絕緣層包圍,注入的電子無放電通路,可以長期保留,此時SIMOs管的開啟電壓升高到7”,特性曲線右移,如圖4,5.5(b)所示。因此,控制柵加正常邏輯高電平也不能達到其開啟電壓,SIMOs管始終截止,相當于斷開一樣。
擦除的方法是用紫外線或Ⅹ射線照射器件20min,則sio2層中將產生電子一空穴對,為浮柵上的電子提供泄放通道,使之放電,SIMOS管恢復到編程前的狀態。
Flotox MOs管開關,Flotox MOS管的結構及符號如圖4.5.6所示。它與SIMOS管相似,不同的只是其浮柵與漏區間有一個極薄的氧化層(2×10ˉ:m以下),稱為隧道區。當隧道區的電場強度足夠大時,漏區與浮柵之間便出現導電隧道,在電場的作用下,電子通過隧道形成電流,這種現象稱為隧道效應。同樣,編程處理前,浮柵上沒有電荷,與普通MOS管一樣。編程時源極、漏極均接地,控制柵加20V的脈沖電壓,隧道 圖4.5.6 Flotox MOS管的結構及符號區產生強電場,吸引漏區的電子通過隧道到達浮柵。撤除編程電壓后,浮柵上的電子可以長久保留,此時F1otox MOs管的開啟電壓升高,在正常邏輯電平下,始終關斷。
如果需要擦除編程信息,將管子漏極加20Ⅴ正脈沖電壓,控制柵接地,則浮柵上的電子在電場的作用下通過隧道回到漏區,管子恢復到編程前的狀態,從而達到擦除編程信息的目的。與SIMOs管相比,Flotox MOs管的編程和擦除都是通過在漏極和控制柵上加脈沖電壓,向浮柵注人和清除電荷的速度快、操作簡單,用戶可以在電路板上實現在線操作。實際上編程和擦除是同時進行的,每次編程時,是以新的信息代替原來的信息。Flotox MOs管也廣泛用于各種大規模可編程器件,作為可編程開關。