27C1001-12FIWE控制寫人時的情況。圖中定時參數的含義為:

Jwc:寫周期。反映連續進行兩次寫操作所需要的最小時間間隔。

JsA:地址建立時間。反映在寫控制信號有效前,地址必須穩定一段時間。

TAw:寫結束前地址保持時間。

TscE:片選持續時間。反映CE控制寫人時應持續有效的時間。

JsD:寫結束前數據建立時間。反映在寫信號失效前,數據線上的數據應保持穩定的時間。

TH人:寫結束后地址維持時間。

THD:寫結束后數據維持時間。

大多數SRAM的讀周期和寫周期是相等的,一般為十幾納秒到幾十納秒。

截止到2004年9月,從世界上幾大主流SRAM生產廠商(例如Cypress、

NEC、Hitachi、IDT和Samsung等)公布的產品信息來看,SRAM的最大容量已

達16 Mbit,存取時間最短8 ns。

三極管性能的簡易測量,用指針式萬用表電阻擋測rtE和基極開路,用指針式萬用表黑表筆接NPN管的集電極c、紅表筆接發射極c(PNP管

相反),此時測得c、c間電阻值大.則表明r小,測得c、e間電阻值小,則表明r cE()大。測Icr的過程如圖5-12所示。圖5-12測rcE的過程用手指代替基極電阻Rb,用以上方法測c、e間電阻.若阻值比基極開路時小得多,則表明值大。

用指針式萬用表⒉FE擋測指針式萬用表有/7FE擋.按萬用表上規定的極型插入=極管即可測得電流放大系數,若很小或為零.表明三極管已損壞,可用電阻擋分別測兩個PN結,確認是否有擊穿或斷路。

指針式萬用表的h・E擋檢測值方法如下。

撥到為FE擋。

將萬用表置于ADJ擋.然后進行調零。

將被測二極管的c、b、e三個引腳分別插人相應的插孔中(TO-3封裝的大功率管,可將其3個電極接出3根引線,再插人孔)。

從表頭讀出該管的電流放大系數。