SUCS1R52412由于DRAM的存儲單元結構簡單,其集成度遠高于SRAM,最大容量已達1Gbit,時鐘最高工作頻率達250 MHz。所以同等容量情況下,DRAM更廉價。

目前,DDR SDRAM已成為個人電腦的主流內存。其改進型DDR ⅡSDRAM將很可能成為下一個主流內存。表7.2.3所示為幾種DRAM產品。

表7.2.3 幾種DRAM產品,存儲容量的擴展

目前,盡管各種容量的存儲器產品已經很豐富,且最大容量已達1Gbit以上,用戶能夠比較方便地選擇所需要的芯片。但是,只用單個芯片不能滿足存儲容量要求的情況仍然存在。個人電腦中的內存條就是一個典型的例子,它由焊在一塊印制電路板上的多個芯片組成。此時,便涉及存儲容量的擴展問題。擴展存儲容量的方法可以通過增加字長(位數)或字數來實現。

字長(位數)的擴展,通常RAM芯片的字長為1位、4位、8位、16位和32位等。當實際的存儲器系統的字長超過RAM芯片的字長時,需要對RAM實行位擴展。

位擴展可以利用芯片的并聯方式實現,即將RAM的地址線、讀/寫控制線和片選信號對應地并聯在一起,而各個芯片的數據輸人/輸出端作為字的各個位線。如圖7.2.10所示,用4個4K×4位RAM芯片可以擴展成4K×16位的存儲系統,字數的擴展.

字數的擴展可以利用外加譯碼器控制存儲器芯片的片選使能輸人端來實現。例如,利用2線一4線譯碼器74139將4個8K×8位的RAM芯片擴展為32K×8位的存儲器系統。擴展方式如圖7,2,11所示,圖中,存儲器擴展所要增加的地址線我4、A與譯碼器的74139的輸人相連,譯碼器的輸出y1~y3分別接至4片RAM的片選信號控制端CE。這樣,當輸入一個地址碼(代4~14)時,只有一片RAM被選中,從而實現了字的擴展位數和字數的擴展來構成。

DRAM中存儲的數據如果不進行周期性的刷新,其數據將會丟失;而SRAM中存儲的數據無需刷新,只要電源不斷電就可以永久保存,為什么?

一般情況下,DRAM的集成度比SRAM的集成度高,為什么?

sSRAM與異步SRAM的主要差別是什么?它有什么優點?

sSRAM中叢發模式讀寫操作的特點是什么?

用容量為16K×1位存儲器芯片構成-一個32K×8位的存儲系統,需要多少根地址線?多少根數據線?多少個16K×1位的存儲器芯片?

CPLD珀勺結構與簡單PLD(PAL、GAL等)相比,CPLD的集成度更高。CPLD具有更多的輸入信號、更多的乘積項和更多的宏單元。盡管各廠商生產的CPLD器件結構.

系In system Programmabmy的縮寫。

存儲器、復雜可編程器件和現場可編程門陣列,復雜可編程邏輯器件,前面有關章節已介紹了可編程邏輯器件PAL和GAL,它們都屬于簡單的PLD。

隨著微電子技術的發展和應用上的需求,簡單PLD在集成度和性能方面難以滿足要求,因此集成度更高、功能更強的復雜可編程器件(CPLD)便迅速發展起來。

早期的CPLD大多采用EPROM編程技術,其編程過程與簡單PLD一樣,每次編程需要在專用或通用設各上進行。后來采用E2PROM和閃爍存儲器技術,使CPLD具有了“在系統可編程(ISP①)”特性。所謂在系統可編程是指未編程的ISP器件可以直接焊接在印制電路板上,然后通過計算機的數據傳輸端口和專用的編程電纜對焊接在電路板上的ISP器件直接多次編程,從而使器件具有所需要的邏輯功能。這種編程不需要使用專用的編程器,因為已將原來屬于編程器的編程電路和升壓電路集成在ISP器件內部。ISP技術使得調試過程不需要反復拔插芯片,從而不會產生引腳彎曲變形現象,提高了可靠性,而且可以隨時對焊接在電路板上的ISP器件的邏輯功能進行修改,從而加快了數字系統的調試過程。目前,ISP已成為系統在線遠程升級的技術手段。

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