V42254B7200C933溝槽柵結構溝槽（Trench）意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其側壁形成MOSFET柵極的結構。不存在平面型MOSFET在結構上存在的JFET電阻，比平面結構更容易實現微細化，有望實現接近SiC材料原本性能的導通電阻。電感分量表示電流變化時由電磁感應產生的電動勢大小的量。

傳統的3引腳封裝（TO-247N）中，源極引腳的電感分量※2）會引起柵極電壓下降，并導致開關速度延遲。

此次，SCT3xxx xR系列所采用的4引腳封裝（TO-247-4L），可以分離電源源極引腳和驅動器源極引腳，因此，可減少電感分量的影響。這樣，能夠充分地發揮出SiC MOSFET的高速開關性能，尤其是可以顯著改善導通損耗。與以往產品相比，導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35％的損耗。

新產品“BV2Hx045EFU-C”是業界首款*利用獨有的過電流保護功能，可獨立保護系統免受過電流影響的智能高邊開關。普通產品僅支持啟動時的浪涌電流保護，啟動后的穩態電流使用微控制器和過電流檢測IC等進行過電流保護，受與智能高邊開關輸出端的后段電路之間的相性影響，有失控的可能性。而新產品則可以獨立地保護系統免受浪涌電流和穩態電流中的過電流的影響，因此，與普通產品的解決方案相比，可提供可靠性高、部件數量少的解決方案，有助于打造更安全的系統。另外，過電流保護的范圍還可以通過外置部件進行自由調整，因此可使用于各種系統。

本產品已于2019年6月開始出售樣品，計劃于2020年1月開始暫以月產100萬個的規模投入量產。前期工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.（日本京都），后期工序的生產基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）。

未來，ROHM將繼續開發高可靠性、高性能的元器件，為汽車領域的安心、安全及環保貢獻力量。

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