MM3Z13VT1-ONS 工頻電磁場引人電荷的影響

發布時間:2020/2/9 22:28:07 訪問次數:1609

MM3Z13VT1-ONS特別是CMOs電路的多余輸入端絕對不能懸空。由于它的輸入電阻很大,容易受到靜電或工作區域工頻電磁場引人電荷的影響,而破壞電路的正常工作狀態。

去耦合濾波電容,數字電路或系統往往是由多片邏輯門電路構成,由一公共的直流電源供電。這種電源是非理想的,一般是由整流穩壓電路供電,具有一定的內阻抗,如表題3.1.1

當數字電路在高、低狀態之間交替變換時,產生較大的脈沖電流或尖峰電流,當它們流經公共的內阻抗時,必將產生相互的影響,甚至使邏輯功能發生錯亂。一種常用的處理方法是采用去耦合濾波電容,用10~100uF的大電容器接在直流電源與地之間,濾除干擾信號。除此以外,對于每一集成芯片的電源與地之間接一個0.1uF的電容器以濾除開關噪聲。

接地和安裝工藝,正確的接地技術對于降低電路噪聲是很重要的。方法是將電源地與信號地分開,先將信號地匯集在一點,然后將二者用最短的導線連在一起,以避免含有多種脈沖波形(含尖峰電流)的大電流引到某數字器件的輸入端而破壞系統正常的邏輯功能。此外,當系統中同時有模擬和數字兩種器件時,同樣需將二者的地分別連在一起,然后再選用一個合適共同點接地,以免除二者之間的影響。必要時,也可設計模擬和數字兩塊電路板,各各直流電源,然后將二者的地恰當地連接在一起。在印制電路板的設計或安裝中,要注意連線盡可能短,以減少接線電容產生寄生反饋而引起的寄生振蕩。這方面更詳細的介紹,可參閱有關文獻。某些典型電路應用設計也可參考集成數字電路的數據手冊。此外,CMOs器件在使用和儲藏過程中要注意靜電感應導致損傷的問題。靜電屏蔽是常用的防護措施。

當CMOs和TTL兩種電路相互連接時,兩者間的電平和電流應滿足什么條件?

當TTL門電路驅動CMOS門電路時,是否需要加接口電路?為什么?

當負載所需的電流比較大時,如何增加驅動電流?

如何解決TTL驅動CMOs電路時,高電平參數不兼容問題?

為什么CMOS電路的多余輸入端絕對不能懸空?

用erilog語言對MOS管構成的數字開關邏輯電路建模,常稱為開關級建描述邏輯閘電路.

用HDL由砷化鎵邏輯門電路采用砷化鎵作為半導體材料,其載流子的遷移率非常高,因而其工作速度比硅在邏輯體制中有正、廣泛應用于高頻電路中。定本書主要采用正邏輯件快得多,邏輯的規邏輯門的號常用于路的在邏輯門的實際中,有可能遇載之間田技術問江用Verilog可以對邏輯門電路描述,進行開關級建模。

邏輯門電路電路的技術參數工作在下的門電路,74ALS系列TTL門。

根據表題3.1.3所列的二種邏輯門電路的技術參數,計算出它們的延時一功耗積,并確定哪一種邏輯門的性能最好。