MK41H68N-35 集磁磁芯或屏蔽罩能耗特性
發布時間:2020/3/14 19:05:51 訪問次數:3054
MK41H68N-35新型超緊湊型TSSOP8封裝電流傳感器可為200A以上的應用提供精確的電流測量，而無需使用集磁磁芯或屏蔽罩.ACS37612消除了磁芯，因而電動汽車制造商可以減小逆變器的體積和重量，提高電動汽車的能量效率。非介入式（non-invasive）、非接觸式電流傳感器旨在提高分流解決方案的熱效率，降低48V電動平臺系統能耗.ACS37612既可用于匯流條設計，也可用于PCB走線電流設計；結合無磁芯設計特性，可以提供非常小巧輕便的電流感測解決方案。Allegro在提供可靠、基于霍爾效應的電流傳感器方面，能夠滿足汽車行業客戶不斷變化的需求。
N9021B MXA X 系列信號分析儀的功能特性：
頻率范圍為 10 Hz - 50 GHz，可以滿足 5G NR FR1 和 FR2 的技術指標要求
分析帶寬擴展到 510 MHz，無雜散動態范圍（SFDR）超過 72 dB，可以探測到更難以發現的信號
卓越的射頻性能，單邊帶（SSB）相位噪聲為 -129 dBc/Hz（1 GHz載波頻率，10 kHz 頻偏），可實現更出色的 EVM 測量（5G NR EVM 小于 1%）
全頻段實時頻譜分析（RTSA）能力可捕獲偶發或瞬態信號,能夠執行快速、精確的信號和頻譜測量，從而顯著提高 5G 產品的生產吞吐量和良率，同時最大程度降低其生產成本.
ISO7741E-Q1具有行業領先的1.5-kVRMS工作電壓，支持高達150°C的0級更高溫度限值。新型隔離器使工程師能夠更好地保護低壓電路免受混合電動汽車（HEV）和電動汽車（EV）系統中高壓事件的影響，并無需在冷卻系統中進行設計，以將溫度降低到125°C（1級合規集成電路（IC）支持的溫度）以下。
ANX7580具有一個4通道DisplayPort 1.4輸入和一個用于單個面板的4 MIPI通道，可連接到嵌入式和離散圖形處理單元（GPU），以及翻蓋式顯示應用中使用的MIPI顯示器。
這些應用受益于以下ANX7580的主要優勢：
支持DisplayPort和嵌入式DisplayPort（eDP）；
支持ARM，x86和其他計算架構；
高帶寬數字內容保護（HDCP）支持，例如視頻內容保護和Hi-Fi音頻；
小尺寸（4×4 mm2）和低功耗（<150mW）架構;
深圳市創芯聯盈電子有限公司http://cxly.51dzw.com/
(素材來源：21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
MK41H68N-35新型超緊湊型TSSOP8封裝電流傳感器可為200A以上的應用提供精確的電流測量，而無需使用集磁磁芯或屏蔽罩.ACS37612消除了磁芯，因而電動汽車制造商可以減小逆變器的體積和重量，提高電動汽車的能量效率。非介入式（non-invasive）、非接觸式電流傳感器旨在提高分流解決方案的熱效率，降低48V電動平臺系統能耗.ACS37612既可用于匯流條設計，也可用于PCB走線電流設計；結合無磁芯設計特性，可以提供非常小巧輕便的電流感測解決方案。Allegro在提供可靠、基于霍爾效應的電流傳感器方面，能夠滿足汽車行業客戶不斷變化的需求。
N9021B MXA X 系列信號分析儀的功能特性：
頻率范圍為 10 Hz - 50 GHz，可以滿足 5G NR FR1 和 FR2 的技術指標要求
分析帶寬擴展到 510 MHz，無雜散動態范圍（SFDR）超過 72 dB，可以探測到更難以發現的信號
卓越的射頻性能，單邊帶（SSB）相位噪聲為 -129 dBc/Hz（1 GHz載波頻率，10 kHz 頻偏），可實現更出色的 EVM 測量（5G NR EVM 小于 1%）
全頻段實時頻譜分析（RTSA）能力可捕獲偶發或瞬態信號,能夠執行快速、精確的信號和頻譜測量，從而顯著提高 5G 產品的生產吞吐量和良率，同時最大程度降低其生產成本.
ISO7741E-Q1具有行業領先的1.5-kVRMS工作電壓，支持高達150°C的0級更高溫度限值。新型隔離器使工程師能夠更好地保護低壓電路免受混合電動汽車（HEV）和電動汽車（EV）系統中高壓事件的影響，并無需在冷卻系統中進行設計，以將溫度降低到125°C（1級合規集成電路（IC）支持的溫度）以下。
ANX7580具有一個4通道DisplayPort 1.4輸入和一個用于單個面板的4 MIPI通道，可連接到嵌入式和離散圖形處理單元（GPU），以及翻蓋式顯示應用中使用的MIPI顯示器。
這些應用受益于以下ANX7580的主要優勢：
支持DisplayPort和嵌入式DisplayPort（eDP）；
支持ARM，x86和其他計算架構；
高帶寬數字內容保護（HDCP）支持，例如視頻內容保護和Hi-Fi音頻；
小尺寸（4×4 mm2）和低功耗（<150mW）架構;
深圳市創芯聯盈電子有限公司http://cxly.51dzw.com/
(素材來源：21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-2712位模數轉換器 (ADC)參數特點技術封裝
- 11-27三角函數加速器 (TMU)系列
- 11-27單芯片“艙行泊”一體化方案探究
- 11-27CoolSiC肖特基二極管技術參數應用設計
- 11-27納微GaN Safe系列NV6515（650V,32mΩ max）IC
- 11-27臨界導通模式（CrM）詳情
- 11-27GaN HEMT IC+Si MOSFET組合
- 11-26可編程多路復用通用輸入/輸出 (GPIO)
- 11-26全新實時微控制器系列優特點封裝設計
- 11-26新款四維圖艙行泊一體單芯片SoC解決方案
- 11-26Easy1B/2B系列功率模塊優勢特點及應用
- 11-26EiceDriver系列柵極驅動芯片的研究與應用
公網安備44030402000607
