UPD78013GC-742-AB8同步降壓穩壓器的高效率和低損耗（LDO）穩壓器的低噪聲。ISL70005SEH和ISL73005SEH是抗輻射的雙輸出點負載（POL）穩壓器，結合了它們適用于3.3V或5V電源總線的系統，能夠支持降壓調節器3A和LDO±1A的連續輸出負載電流。

降壓穩壓器采用電壓模式控制架構，開關的電阻可調頻率為100kHz至1MHz。外部可調環路補償允許在穩定性和輸出動態性能之間實現最佳平衡。內部同步功率開關優化為高效率和優異的熱性能。

LDO完全可以獨立于開關調節器進行配置。它使用NMOS pass器件和獨立的芯片偏置電壓（L_VCC）驅動其柵極，使LDO在L_VIN輸入端以非常低的電壓工作。LDO可以連續接收和源高達1A，使其成為驅動DDR存儲器的理想選擇。

ISL70005SEH和ISL73005SEH采用節省空間的28 Ld陶瓷雙扁平封裝或模具形式。它們被指定在TA=-55℃到+125℃的溫度范圍內工作。

STM32L562xx設備是基于高性能Arm®Cortex®M33 32位RISC內核的超低功耗微控制器系列（STM32L5系列）。它們的工作頻率高達110兆赫。

內核具有一個單精度浮點單元（FPU），它支持所有單精度數據處理指令和所有數據類型。實現了全套的DSP（數字信號處理）指令和增強應用程序安全性的內存保護單元（MPU）。

這些設備嵌入高速存儲器（512k字節的閃存和256kb的SRAM）、一個用于靜態存儲器的靈活外部存儲器控制器（FSMC）（用于100針及以上封裝的設備）、一個Octo-SPI閃存接口（可用于所有封裝）和一系列連接到兩個APB的增強I/o和外圍設備總線、兩條AHB總線和一個32位多AHB總線矩陣。

STM32 L5系列設備提供了符合ARM的基于信任的安全體系結構（TBSA）要求的安全基礎。它們嵌入了必要的安全功能，以實現安全引導、安全數據存儲、安全固件安裝和安全固件升級。靈活的生命周期管理多虧了多級讀出保護。由于安全的外圍設備、內存和I/O，以及將外圍設備和內存配置為“特權”的可能性，支持固件硬件隔離。

STM32L562xx設備為嵌入式閃存和SRAM嵌入了幾種保護機制：讀出保護、寫入保護、安全和隱藏保護區域。

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