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二極管的伏安特性曲線

發布時間:2020/9/3 23:59:40 訪問次數:1764

電子管怕振動,所以采取防震措施盡量避免振動也是很重要的。若做到這兩點,電子管的使用壽命至少可提高一倍。電子管設備的周圍要有適當的空間,尤其是它的上方,以便有良好的對流通風,可能的話可用風扇幫助散熱。

電子管陰極在尚未達到要求溫度即加上高壓電源時,它的陰極將受到損害,同樣會縮短電子管壽命。所以電子管設備若有預熱裝置的話,一定要使用,例如先開燈絲低壓電源預熱,后開高壓電源。假如沒有預熱裝置,那你不要急著將輸入信號接入,可將音量關到最小,待先開機20~30分鐘進行溫機再使用。如果使用旁熱式整流管供給整機高壓,那正好提供了簡單又有效的高壓延時。另外,在正常使用時,不要頻繁開關電源。

如果對電子管電路進行正確的設計,避免錯誤運用,就能使電子管不致“英年早逝”,電子管使用數以千計的聆聽時數應是正常的。電路設計中最常見的錯誤有電子管燈絲與陰極間的電位差過高、電子管屏極或簾柵極電壓運用至最大值、電子管燈絲電壓過低或過高、電子管安裝位置不當造成電極過熱及高壓電源沒有延時裝置等。

半導體二極管的反向 伏安特性曲線說明如下:

當U<0時,即處于反向特性區域。反向區分為兩個區域:

當U BR<U<0時,反向電流很小,且基本不隨反向電壓的變化而變化,此時的反向電流也稱反向飽和電流I S。

當U≥U BR時,反向電流急劇增加,U BR稱為反向擊穿電壓(Breakdown voltage)。

在反向區,硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡,反向飽和電流也很小;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟,過渡比較圓滑,反向飽和電流較大。

二極管伏安特性曲線商道縱橫事關注2020-03-31 08:14電路板樣板,品類齊全,你生活的好幫手,亞洲優質購物平臺,億萬優質單品任你選.5萬多商戶授權專賣,品質保證.專業功放板,與時尚接軌,高品質護航.5萬多商戶授權專賣,品質保證.電子管功放,與時尚接軌,高品質護航.二極管的伏安特性曲線如圖1所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線,處于第三象限的是反向伏安特性曲線。根據理論推導,二極管的伏安特性曲線可用下列公式表示:

式中I S為反向飽和電流,U為二極管兩端的電壓降,U T=kT/q稱為溫度的電壓當量,k為玻耳茲曼常數,q為電子電荷量,T為熱力學溫度。對于室溫(相當于T=300 K),則有U T=26 mV。

正向特性

二極管的正向伏安特性曲線說明如下:

當U>0,即處于正向特性區域。正向區又分為三段:

第一段,當0<U<U th時,正向電流為零,U th稱為死區電壓或開啟電壓。

第二段,當U>U th,且U較小時,開始出現正向電流,并按指數規律增長。見圖1中的曲線的第2段。

第三段,當U>U th,且U較大時,正向電流增長很快,且正向電壓隨正向電流增長而增長很小。對應在圖1中,正向曲線很陡的第3段。

硅二極管的死區電壓U th?0.4 V左右,鍺二極管的死區電壓U th?0.1 V左右。

正向特性曲線第3段對應的正向電壓可以認為基本不變,對于硅二極管的正向電壓U D?0.7~0.8V左右,鍺二極管的正向電壓U D?0.3~0.4V左右。


(素材:21ic和ttic.如涉版權請聯系刪除)





電子管怕振動,所以采取防震措施盡量避免振動也是很重要的。若做到這兩點,電子管的使用壽命至少可提高一倍。電子管設備的周圍要有適當的空間,尤其是它的上方,以便有良好的對流通風,可能的話可用風扇幫助散熱。

電子管陰極在尚未達到要求溫度即加上高壓電源時,它的陰極將受到損害,同樣會縮短電子管壽命。所以電子管設備若有預熱裝置的話,一定要使用,例如先開燈絲低壓電源預熱,后開高壓電源。假如沒有預熱裝置,那你不要急著將輸入信號接入,可將音量關到最小,待先開機20~30分鐘進行溫機再使用。如果使用旁熱式整流管供給整機高壓,那正好提供了簡單又有效的高壓延時。另外,在正常使用時,不要頻繁開關電源。

如果對電子管電路進行正確的設計,避免錯誤運用,就能使電子管不致“英年早逝”,電子管使用數以千計的聆聽時數應是正常的。電路設計中最常見的錯誤有電子管燈絲與陰極間的電位差過高、電子管屏極或簾柵極電壓運用至最大值、電子管燈絲電壓過低或過高、電子管安裝位置不當造成電極過熱及高壓電源沒有延時裝置等。

半導體二極管的反向 伏安特性曲線說明如下:

當U<0時,即處于反向特性區域。反向區分為兩個區域:

當U BR<U<0時,反向電流很小,且基本不隨反向電壓的變化而變化,此時的反向電流也稱反向飽和電流I S。

當U≥U BR時,反向電流急劇增加,U BR稱為反向擊穿電壓(Breakdown voltage)。

在反向區,硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡,反向飽和電流也很小;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟,過渡比較圓滑,反向飽和電流較大。

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式中I S為反向飽和電流,U為二極管兩端的電壓降,U T=kT/q稱為溫度的電壓當量,k為玻耳茲曼常數,q為電子電荷量,T為熱力學溫度。對于室溫(相當于T=300 K),則有U T=26 mV。

正向特性

二極管的正向伏安特性曲線說明如下:

當U>0,即處于正向特性區域。正向區又分為三段:

第一段,當0<U<U th時,正向電流為零,U th稱為死區電壓或開啟電壓。

第二段,當U>U th,且U較小時,開始出現正向電流,并按指數規律增長。見圖1中的曲線的第2段。

第三段,當U>U th,且U較大時,正向電流增長很快,且正向電壓隨正向電流增長而增長很小。對應在圖1中,正向曲線很陡的第3段。

硅二極管的死區電壓U th?0.4 V左右,鍺二極管的死區電壓U th?0.1 V左右。

正向特性曲線第3段對應的正向電壓可以認為基本不變,對于硅二極管的正向電壓U D?0.7~0.8V左右,鍺二極管的正向電壓U D?0.3~0.4V左右。


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