ICEFill技術能夠解決3D NAND器件普遍存在的高深寬比填隙面臨的限制，避免DRAM和邏輯器件結構倒塌的問題。

致力于為客戶提供最好的ALD技術。在單一工藝系統中，這項技術不僅能夠以優異的填隙性能生產高質量氧化膜，還整合了泛林集團行業領先的四位一體的模塊架構帶來的生產率優勢。

滿足網絡通信、智能終端等數據緩存需求

FORESEE DDR3L目前主要應用于IPC、機頂盒、AI音箱、TV、GPON、POS機、OTT、無人機等領域中，其中，FBGA96封裝的DDR3L產品已經穩定出貨，FBGA78封裝的產品已成功量產。

多項嚴苛測試，可靠性高

設有眾多專業實驗室和實驗設備，旗下產品均采用自主撰寫的測試用例進行測試，為產品提供可信度高的測試環境。

生產測試作為質量管理的其中一道程序，對產品可靠性起著至關重要的作用。FORESEE DDR3L生產測試包括高溫老化、高溫壓力測試、高低溫功能測試、性能測試4大類，共40多個子測試項，為行業客戶提供高可靠性的產品。

全新的工藝方案——先進的Striker®FE平臺——用于制造高深寬比的芯片架構。Striker FE平臺采用了業界首創的ICEFill™技術，以填充新節點下3D NAND、DRAM和邏輯存儲器的極端結構。不僅如此，該系統還具備更低的持續運行成本和更好的技術延展性，以滿足半導體產業技術路線圖的發展。

全新的工藝方案——先進的Striker® FE平臺

半導體制造行業一直以來使用的填隙方法包括傳統的化學氣相沉積(CVD)、擴散/熔爐和旋涂工藝。然而，由于這些技術需要在質量、收縮率和填充率之間權衡取舍，因此已無法滿足當前3D NAND的生產要求。相比之下，泛林集團的Striker ICEFill采用其獨有的表面改性技術，可以實現高選擇性自下而上及無縫的填隙，并保持原子層沉積(ALD)固有的成膜質量。

FORESEE DDR3L作為符合JEDEC標準的存儲產品之一，在產品開發過程中提前布局主流平臺的驗證，能夠有效避免兼容性問題的發生。

江波龍電子與多個主芯片平臺建立了戰略合作關系，FORESEE DDR3L產品已在HiSilicon、MTK、Amlogic、 Mstar、RockChip、Allwinner、GOKE、TouchMore等主流平臺的55個主芯片型號申請驗證，24個完成AVL驗證，還有31個正在驗證中，基本涵蓋市面上的主芯片型號，能夠兼容不同應用場景。

采用25nm制程，工藝更先進

相比起傳統的38nm制程，FORESEE DDR3L采用了更先進、更主流的25nm制程。在成本可控的前提下，對產品性能進行了升級，也降低了待機和工作電流。

符合JEDEC標準，適用性廣泛

FORESEE DDR3L嚴格按照JESD79-3F標準進行研發，目前已通過JEDEC標準嚴格的可靠性驗證（如： 1000小時的HTOL、LTOL等），在市場上獲得廣泛采用。

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