新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導通電阻的器件減小65 %。

功率半導體的技術和材料創新都致力于提高能量轉化效率（理想轉化率100%），基于 SIC 材料的功率器件相比傳統的 Si 基功率器件效率高、損耗小，在新能源車、光伏風電、不間斷電源、家電工控等有廣闊的應用前景。目前 SIC 行業發展的瓶頸主要在于 SIC 襯底成本高（是 Si 的 4-5 倍，預計未來 3-4 年價格會逐漸降為 Si 的 2 倍），同時 SIC MOS 為代表的 SIC 器件產品穩定性需要時間驗證。國內外 SIC 產業鏈日趨成熟，成本也在持續下降，產業鏈爆發的拐點臨近。

制造商: Analog Devices Inc.

產品種類: RS-232接口集成電路

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-16

系列: ADM3232E

功能: Transceiver

數據速率: 460 kb/s

激勵器數量: 2 Driver

接收機數量: 2 Receiver

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 3 V

工作電源電流: 3 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

ESD 保護: ESD Protection

封裝: Tube

高度: 1.5 mm

長度: 10 mm

輸出類型: Single-Ended

產品: RS-232 Transceivers

電源類型: Single Supply

寬度: 4 mm

商標: Analog Devices

關閉: Without Shutdown

收發器數量: 1 Transceiver

工作電源電壓: 3 V to 5.5 V

產品類型: RS-232 Interface IC

支持協議: RS-232

接收機信號類型: Single-Ended

工廠包裝數量: 48

子類別: Interface ICs

單位重量: 666 mg

制造商: Analog Devices Inc.

產品種類: RS-232接口集成電路

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-16

系列: ADM3232E

功能: Transceiver

數據速率: 460 kb/s

激勵器數量: 2 Driver

接收機數量: 2 Receiver

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 3 V

工作電源電流: 3 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

ESD 保護: ESD Protection

封裝: Tube

高度: 1.5 mm

長度: 10 mm

輸出類型: Single-Ended

產品: RS-232 Transceivers

電源類型: Single Supply

寬度: 4

Si 基器件在 600V 以上高電壓以及高功率場合達到其性能的極限；為了提升在高壓/高功率下器件的性能，第三代半導體材料 SiC （寬禁帶）應運而生；

第三代半導體主要是 SIC 和 GaN，第二代和第三代也稱作化合物半導體，即兩種元素組成的半導體材料，區別于硅/鍺等單質半導體：

SIC 材料具有明顯的性能優勢。SiC 和 GaN 是第三代半導體材料，與第一二代半導體材料相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等性能優勢，所以又叫寬禁帶半導體材料，特別適用于 5G 射頻器件和高電壓功率器件。

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