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SMT 輕觸開關六路汽車順序LED控制器

發布時間:2020/11/26 9:00:34 訪問次數:748

小型 PTS845 系列的尺寸僅為 4.5 mm x 3.4 mm x 3.3 mm, 有三種標準起動力。既滿足了客戶需求, 又簡化了集成。PTS845 系列包括 80gf 版、160gf 版和 260gf 版。

超薄型 PTS850 系列的尺寸同樣小巧, 僅為 5.4 mm x 5.0 mm x 1.8 mm, 有兩種標準起動力。PTS850 系列包括 180 gf 版和 350 gf 版。

這些 SMT 輕觸開關均可完全集成到回流焊接標準工藝中, 從而為原始設備制造商節約時間和成本。PTS845 的支架和銷釘設計可使產品無需為銷釘達到高焊接強度而花費額外成本及實施集成。PTS850 的凸臺設計有助于客戶在焊接前將該開關輕松定位到 PCB 上。

全新 PTS 系列側面起動開關, 借可靠封裝節約了印刷電路板空間。這些開關將解決大規模生產對小尺寸、高品質且價格具有競爭力的開關解決方案日益增長的需求。

MAX25605是六路汽車順序LED控制器,可以在不用微控制器或軟件的情況下順序開啟功能或任何其它順序照明激活.MAX25605集成了六個級聯低RDSON的N溝MOSFET,適用于高達750mA的LED照明應用.每個開關支持高達三個串聯LED/開關.整個LED串電壓支持高達60V,N溝MOSFET分成兩組,每組三個,使得單個器件能順序一個或兩個LED串.

集成的柵極驅動器和電平轉移用于每個開關,它由內部電荷泵穩壓器,支持降壓-升壓和升壓到電池應用.順序功能和時序由連接電阻到A0,A1,A2和CLK輸入進行編程.編程選擇包括調光上/下,短路LED閾值,多個器件順序位置,調光頻率和變暗周期.選擇算法變暗特性允許逐漸打開LED或關斷LED.汽車級質量,滿足AEC-Q100資質,工作溫度-40C 到 +125C,主要用在順序開關信號照明和基于硬件的照明激活.

PTS845 和 PTS850 系列擁有極佳性能。PTS845 的使用壽命可達 100,000 次, 而 PTS850 的使用壽命可達 50,000 次, 可靠性高。

與 N5 相比,收益同樣不大,性能僅提升 1.1-1.15 倍,功耗提升 1.25-1.3 倍。這些增益是相對于 N5 而言的,而不是 N5P。與 7 納米相比,N3 在同樣的功率下,性能應該提高 1.25 倍 - 1.35 倍,或者在同樣的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。在這些比較中,你看到的所有倍數都是假設一個理想化的晶體管,并不一定符合 AMD、英特爾甚至英特爾實際制造的產品。

臺積電 N3 將繼續使用 FinFET 鰭式場效晶體管,而不是過渡到 GAA 環繞式結構場效晶體管。

(素材來源:21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

小型 PTS845 系列的尺寸僅為 4.5 mm x 3.4 mm x 3.3 mm, 有三種標準起動力。既滿足了客戶需求, 又簡化了集成。PTS845 系列包括 80gf 版、160gf 版和 260gf 版。

超薄型 PTS850 系列的尺寸同樣小巧, 僅為 5.4 mm x 5.0 mm x 1.8 mm, 有兩種標準起動力。PTS850 系列包括 180 gf 版和 350 gf 版。

這些 SMT 輕觸開關均可完全集成到回流焊接標準工藝中, 從而為原始設備制造商節約時間和成本。PTS845 的支架和銷釘設計可使產品無需為銷釘達到高焊接強度而花費額外成本及實施集成。PTS850 的凸臺設計有助于客戶在焊接前將該開關輕松定位到 PCB 上。

全新 PTS 系列側面起動開關, 借可靠封裝節約了印刷電路板空間。這些開關將解決大規模生產對小尺寸、高品質且價格具有競爭力的開關解決方案日益增長的需求。

MAX25605是六路汽車順序LED控制器,可以在不用微控制器或軟件的情況下順序開啟功能或任何其它順序照明激活.MAX25605集成了六個級聯低RDSON的N溝MOSFET,適用于高達750mA的LED照明應用.每個開關支持高達三個串聯LED/開關.整個LED串電壓支持高達60V,N溝MOSFET分成兩組,每組三個,使得單個器件能順序一個或兩個LED串.

集成的柵極驅動器和電平轉移用于每個開關,它由內部電荷泵穩壓器,支持降壓-升壓和升壓到電池應用.順序功能和時序由連接電阻到A0,A1,A2和CLK輸入進行編程.編程選擇包括調光上/下,短路LED閾值,多個器件順序位置,調光頻率和變暗周期.選擇算法變暗特性允許逐漸打開LED或關斷LED.汽車級質量,滿足AEC-Q100資質,工作溫度-40C 到 +125C,主要用在順序開關信號照明和基于硬件的照明激活.

PTS845 和 PTS850 系列擁有極佳性能。PTS845 的使用壽命可達 100,000 次, 而 PTS850 的使用壽命可達 50,000 次, 可靠性高。

與 N5 相比,收益同樣不大,性能僅提升 1.1-1.15 倍,功耗提升 1.25-1.3 倍。這些增益是相對于 N5 而言的,而不是 N5P。與 7 納米相比,N3 在同樣的功率下,性能應該提高 1.25 倍 - 1.35 倍,或者在同樣的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。在這些比較中,你看到的所有倍數都是假設一個理想化的晶體管,并不一定符合 AMD、英特爾甚至英特爾實際制造的產品。

臺積電 N3 將繼續使用 FinFET 鰭式場效晶體管,而不是過渡到 GAA 環繞式結構場效晶體管。

(素材來源:21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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