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100V-200V產品升壓器和電池輸入中的CoolSiC MOSFET模塊

發布時間:2020/12/14 22:43:22 訪問次數:1304

新型太陽能逆變器使用德國Infineon的碳化硅(SiC)CoolSiC MOSFET,效率超過98%。 Symo GEN24 Plus與比亞迪的高壓存儲系統相結合,在10kW級的系統性能指數(SPI)中達到了94%的創紀錄值,據稱,其是該組合中唯一能夠實現的A級能效的逆變器。

Fronius的Symo GEN24 Plus太陽能逆變器將升壓器和電池輸入中的CoolSiC MOSFET模塊與逆變器級中的混合模塊結合在一起。

SiC模塊可用于構建非常節能,堅固且可靠的逆變器,這項技術可以顯著提高開關頻率。混合逆變器的標準連接選項外,每個設備現在還具有用于安全電源和備用電源輸出.

制造商:Intel 產品種類:FPGA - 現場可編程門陣列 RoHS: 詳細信息 產品:Cyclone IV GX 邏輯元件數量:149760 邏輯數組塊數量——LAB:9360 輸入/輸出端數量:393 I/O 工作電源電壓:1 V to 1.2 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-672 封裝:Tray 數據速率:3.125 Gb/s 系列:EP4CGX150 Cyclone IV GX 商標:Intel / Altera 自適應邏輯模塊 - ALM:- 嵌入式內存:6480 kbit 最大工作頻率:200 MHz 濕度敏感性:Yes 收發器數量:8 Transceiver 產品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工廠包裝數量:40 子類別:Programmable Logic ICs 總內存:6480 kbit 商標名:Cyclone IV 零件號別名:974437 單位重量:16.048 g

170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET),與目前用于高性能48 V同步整流的器件相比,EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。

增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商,致力提高產品性能且降低可發貨的氮化鎵晶體管的成本,EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應晶體管,是100 V ~ 200 V產品系列的最新成員,該系列適用于廣闊的功率級,而且備有不同價格的器件可供選擇,從而滿足市場對48 V ~ 56 V服務器和數據中心產品和用于高端計算的多種消費類電源應用(包括游戲PC,LCD / LED電視和LED照明)不斷增長的需求。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)



新型太陽能逆變器使用德國Infineon的碳化硅(SiC)CoolSiC MOSFET,效率超過98%。 Symo GEN24 Plus與比亞迪的高壓存儲系統相結合,在10kW級的系統性能指數(SPI)中達到了94%的創紀錄值,據稱,其是該組合中唯一能夠實現的A級能效的逆變器。

Fronius的Symo GEN24 Plus太陽能逆變器將升壓器和電池輸入中的CoolSiC MOSFET模塊與逆變器級中的混合模塊結合在一起。

SiC模塊可用于構建非常節能,堅固且可靠的逆變器,這項技術可以顯著提高開關頻率。混合逆變器的標準連接選項外,每個設備現在還具有用于安全電源和備用電源輸出.

制造商:Intel 產品種類:FPGA - 現場可編程門陣列 RoHS: 詳細信息 產品:Cyclone IV GX 邏輯元件數量:149760 邏輯數組塊數量——LAB:9360 輸入/輸出端數量:393 I/O 工作電源電壓:1 V to 1.2 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-672 封裝:Tray 數據速率:3.125 Gb/s 系列:EP4CGX150 Cyclone IV GX 商標:Intel / Altera 自適應邏輯模塊 - ALM:- 嵌入式內存:6480 kbit 最大工作頻率:200 MHz 濕度敏感性:Yes 收發器數量:8 Transceiver 產品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工廠包裝數量:40 子類別:Programmable Logic ICs 總內存:6480 kbit 商標名:Cyclone IV 零件號別名:974437 單位重量:16.048 g

170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET),與目前用于高性能48 V同步整流的器件相比,EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。

增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商,致力提高產品性能且降低可發貨的氮化鎵晶體管的成本,EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應晶體管,是100 V ~ 200 V產品系列的最新成員,該系列適用于廣闊的功率級,而且備有不同價格的器件可供選擇,從而滿足市場對48 V ~ 56 V服務器和數據中心產品和用于高端計算的多種消費類電源應用(包括游戲PC,LCD / LED電視和LED照明)不斷增長的需求。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)



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