0至+12V柵極電壓驅動動態隨機存取存儲器的SiC MOSFET
發布時間:2021/3/22 22:54:21 訪問次數:200
由于與±20V、5V Vth的柵極驅動器廣泛兼容,所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅動。因此,就可以將它們與現有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動器一起使用。
從DC-DC轉換和車載充電到功率因數校正和太陽能逆變器,這些器件可幫助各行各業的工程師們解決他們在滿足最高電壓和功率要求時所面臨的各種挑戰。
增強型技術使其成為市場上波長為905 nm的質量和效率最高的塑料封裝脈沖激光二極管,為工業和消費類測距應用中的飛行時間測量的設計工程師們提供了強大且經濟高效的解決方案。
制造商: Alliance Memory
產品種類: 動態隨機存取存儲器
類型: SDRAM - DDR3L
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: FBGA-96
數據總線寬度: 16 bit
組織: 256 M x 16
存儲容量: 4 Gbit
最大時鐘頻率: 800 MHz
電源電壓-最大: 1.45 V
電源電壓-最小: 1.283 V
電源電流—最大值: 81 mA
最小工作溫度: 0 C
最大工作溫度: + 95 C
封裝: Reel
商標: Alliance Memory
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 2500
子類別: Memory & Data Storage
隨著顯示技術的不斷發展,智慧眼鏡有可能在未來取代智慧手機成為智慧設備。
一旦我們能夠改善笨拙和不舒適的設計,減小尺寸并提供與當前智能手機相同的信息量,智慧眼鏡將在未來幾年真正實現飛躍。
盡管我們目前還無法實現這一目標,但我們希望超小型激光模塊將成為克服現有挑戰的關鍵組件。
在視覺輔助產品中的應用,目前正在考慮將TDK的激光模塊用于智能眼鏡中,該眼鏡通過將圖像直接投射到視網膜上來輔助視覺。
由于與±20V、5V Vth的柵極驅動器廣泛兼容,所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅動。因此,就可以將它們與現有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動器一起使用。
從DC-DC轉換和車載充電到功率因數校正和太陽能逆變器,這些器件可幫助各行各業的工程師們解決他們在滿足最高電壓和功率要求時所面臨的各種挑戰。
增強型技術使其成為市場上波長為905 nm的質量和效率最高的塑料封裝脈沖激光二極管,為工業和消費類測距應用中的飛行時間測量的設計工程師們提供了強大且經濟高效的解決方案。
制造商: Alliance Memory
產品種類: 動態隨機存取存儲器
類型: SDRAM - DDR3L
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: FBGA-96
數據總線寬度: 16 bit
組織: 256 M x 16
存儲容量: 4 Gbit
最大時鐘頻率: 800 MHz
電源電壓-最大: 1.45 V
電源電壓-最小: 1.283 V
電源電流—最大值: 81 mA
最小工作溫度: 0 C
最大工作溫度: + 95 C
封裝: Reel
商標: Alliance Memory
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 2500
子類別: Memory & Data Storage
隨著顯示技術的不斷發展,智慧眼鏡有可能在未來取代智慧手機成為智慧設備。
一旦我們能夠改善笨拙和不舒適的設計,減小尺寸并提供與當前智能手機相同的信息量,智慧眼鏡將在未來幾年真正實現飛躍。
盡管我們目前還無法實現這一目標,但我們希望超小型激光模塊將成為克服現有挑戰的關鍵組件。
在視覺輔助產品中的應用,目前正在考慮將TDK的激光模塊用于智能眼鏡中,該眼鏡通過將圖像直接投射到視網膜上來輔助視覺。