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170V 6.8mΩ的EPC2059氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)

發布時間:2021/3/26 8:20:31 訪問次數:365

板卡的核心組件是STSPIN32F0B電機控制器,其中包含STM32F0 *微控制器、三相半橋柵極驅動器、12V和3.3V電壓穩壓器、電流檢測的運算放大器,以及功率級電路保護功能,例如, 可設置的過流保護(OCP)、交叉導通防護和欠壓保護(UVLO)。

STEVAL-PTOOL1V1功率級電路采用意法半導體的功率MOSFET N溝道60V STripFET F7技術。

這款2英寸乘以2英寸(50.8 mm*50.8mm)電路板可實現最佳開關性能和包含所有關鍵元件,從而可以快速評估EPC2059的性能。

制造商: Analog Devices Inc.

產品種類: RF 開關 IC

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LGA-20

技術: Si

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標: Analog Devices

濕度敏感性: Yes

產品類型: RF Switch ICs

工廠包裝數量: 100

子類別: Wireless & RF Integrated Circuits

單位重量: 14 mg

170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET),與目前用于高性能48 V同步整流的器件相比,EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。

EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應晶體管,是100 V ~ 200 V產品系列的最新成員,該系列適用于廣闊的功率級,而且備有不同價格的器件可供選擇,從而滿足市場對48 V ~ 56 V服務器和數據中心產品和用于高端計算的多種消費類電源應用(包括游戲PC,LCD / LED電視和LED照明)不斷增長的需求。

在AC/DC適配器的次級側同步整流使用氮化鎵器件,可實現非常明顯的性能優勢。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)





板卡的核心組件是STSPIN32F0B電機控制器,其中包含STM32F0 *微控制器、三相半橋柵極驅動器、12V和3.3V電壓穩壓器、電流檢測的運算放大器,以及功率級電路保護功能,例如, 可設置的過流保護(OCP)、交叉導通防護和欠壓保護(UVLO)。

STEVAL-PTOOL1V1功率級電路采用意法半導體的功率MOSFET N溝道60V STripFET F7技術。

這款2英寸乘以2英寸(50.8 mm*50.8mm)電路板可實現最佳開關性能和包含所有關鍵元件,從而可以快速評估EPC2059的性能。

制造商: Analog Devices Inc.

產品種類: RF 開關 IC

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LGA-20

技術: Si

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標: Analog Devices

濕度敏感性: Yes

產品類型: RF Switch ICs

工廠包裝數量: 100

子類別: Wireless & RF Integrated Circuits

單位重量: 14 mg

170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET),與目前用于高性能48 V同步整流的器件相比,EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。

EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應晶體管,是100 V ~ 200 V產品系列的最新成員,該系列適用于廣闊的功率級,而且備有不同價格的器件可供選擇,從而滿足市場對48 V ~ 56 V服務器和數據中心產品和用于高端計算的多種消費類電源應用(包括游戲PC,LCD / LED電視和LED照明)不斷增長的需求。

在AC/DC適配器的次級側同步整流使用氮化鎵器件,可實現非常明顯的性能優勢。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)





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