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芯片級封裝(CSP)的工作溫度范圍為-40℃至+125℃

發布時間:2021/3/30 7:17:38 訪問次數:1535

PKU4913D以行業標準的超薄1/16磚形式供貨,尺寸為33.02mm×22.86mm×11.30mm(1.3in×0.9in×0.44in)。

該轉換器具有先進的過壓、過熱和短路保護機制,從而提高了可靠性和使用壽命。其平均故障間隔時間(MTBF)為1388萬小時。

與所有偉創力電源模塊的DC/DC轉換器一樣,PKU4913D符合IEC/EN/UL 62368-1安規要求。該器件的工作溫度范圍為-40℃至+125℃。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續漏極電流: 13 A

Rds On-漏源導通電阻: 74 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 38 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 6 S

下降時間: 3 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 8 ns

典型接通延遲時間: 4 ns

零件號別名: BSZ900N15NS3 G SP000677866

單位重量: 38.250 mg


EPC21601是激光驅動器IC系列中首個產品,采用芯片級封裝(CSP)。

集成多個器件于單個芯片上的好處是易于設計、布局和組裝,并且節省占板面積、提高效率和降低成本。該系列的產品將推動在更廣泛的最終用戶應用中,采用ToF技術的激光雷達解決方案能夠更快被采納和得以普及。

從smartworldAI視頻分析到反洗錢和實時視頻轉碼。賽靈思生態系統合作伙伴開發的容器化預構建應用提供了一種簡便方法,使得評估、購買和部署加速應用僅需幾分鐘即可完成。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


PKU4913D以行業標準的超薄1/16磚形式供貨,尺寸為33.02mm×22.86mm×11.30mm(1.3in×0.9in×0.44in)。

該轉換器具有先進的過壓、過熱和短路保護機制,從而提高了可靠性和使用壽命。其平均故障間隔時間(MTBF)為1388萬小時。

與所有偉創力電源模塊的DC/DC轉換器一樣,PKU4913D符合IEC/EN/UL 62368-1安規要求。該器件的工作溫度范圍為-40℃至+125℃。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續漏極電流: 13 A

Rds On-漏源導通電阻: 74 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 38 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 6 S

下降時間: 3 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 8 ns

典型接通延遲時間: 4 ns

零件號別名: BSZ900N15NS3 G SP000677866

單位重量: 38.250 mg


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集成多個器件于單個芯片上的好處是易于設計、布局和組裝,并且節省占板面積、提高效率和降低成本。該系列的產品將推動在更廣泛的最終用戶應用中,采用ToF技術的激光雷達解決方案能夠更快被采納和得以普及。

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(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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