導通和開關損耗降低檢測溫度探頭的類型(TC或PT)
發布時間:2021/4/4 16:04:48 訪問次數:596
最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導通電阻比其前代器件低29 %，為通信、工業、計算和企業級電源應用提供高效解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中600 V MOSFET的重要優值系數（FOM）創業界新低。
器件的FOM為3.1 Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低30 %。這些參數表明導通和開關損耗降低，從而節省能源。
制造商:Power Integrations 產品種類:交流/直流轉換器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8C 輸出電壓:85 V to 265 V 輸出功率:11 W 輸入/電源電壓—最小值:85 V 輸入/電源電壓—最大值:265 V 占空比 - 最大:67 % 工作電源電流:400 uA 封裝:Tube 輸出端數量:1 Output 類型:Off Line Converter 商標:Power Integrations 產品類型:AC/DC Converters 工廠包裝數量100 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:2 g
如果必須將TS +集成到現有設備中或替換現有傳感器，則可以選擇不同的IO-Link過程數據配置文件，從而無需在控制器中進行繁瑣的修改即可快速調整設備。
兩類傳感器型號，用于較大量程范圍,TS+系列溫度傳感器通常用于機械制造和工廠產線以及過程工業中。緊湊型TS700設備的工作溫度范圍為-50至+150℃。
根據所連接的溫度探頭，TS720處理和顯示單元甚至可以覆蓋-200至1800℃的溫度范圍。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導通電阻比其前代器件低29 %，為通信、工業、計算和企業級電源應用提供高效解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中600 V MOSFET的重要優值系數（FOM）創業界新低。
器件的FOM為3.1 Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低30 %。這些參數表明導通和開關損耗降低，從而節省能源。
制造商:Power Integrations 產品種類:交流/直流轉換器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8C 輸出電壓:85 V to 265 V 輸出功率:11 W 輸入/電源電壓—最小值:85 V 輸入/電源電壓—最大值:265 V 占空比 - 最大:67 % 工作電源電流:400 uA 封裝:Tube 輸出端數量:1 Output 類型:Off Line Converter 商標:Power Integrations 產品類型:AC/DC Converters 工廠包裝數量100 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:2 g
如果必須將TS +集成到現有設備中或替換現有傳感器，則可以選擇不同的IO-Link過程數據配置文件，從而無需在控制器中進行繁瑣的修改即可快速調整設備。
兩類傳感器型號，用于較大量程范圍,TS+系列溫度傳感器通常用于機械制造和工廠產線以及過程工業中。緊湊型TS700設備的工作溫度范圍為-50至+150℃。
根據所連接的溫度探頭，TS720處理和顯示單元甚至可以覆蓋-200至1800℃的溫度范圍。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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