產品的輸入電壓范圍從3.6到15V，單或雙輸出電壓高達±12 kV，輸出功率高達1W，固定或遙控調整到正常值的-30%，調整精度優于1%。

六個獨立的16位模數轉換器(ADC)的器件ADS8364。

這種高性能的器件允許有高信號吞吐量和能同時進行取樣，可用在馬達控制，多軸定位，功率監視和光互聯網設備。

極管實際就是把兩個二極管同極相連，它是電流控制元件，利用基區窄小的特殊結構，通過載流子的擴散和復合，實現了基極電流對集電極電流的控制，使三極管有更強的控制能力，按照內部結構來區分，可以把三極管分為PNP管和NPN管，兩只管按照一定的方式連接起來，就可以組成對管，具有更強的工作能力，如果按照三極管的功耗來區別，可以把它們分為小功率三極管，中功率三極管，大功率三極管等。

制造商:    Infineon

產品種類:    MOSFET

RoHS:    詳細信息

技術:    Si

安裝風格:    SMD/SMT

封裝 / 箱體:    PG-TSDSON-8

晶體管極性:    N-Channel

通道數量:    1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:    40 V

Id-連續漏極電流:    105 A

Rds On-漏源導通電阻:    4.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V

Qg-柵極電荷:    48 nC

最小工作溫度:    - 55 C

最大工作溫度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

商標名:    OptiMOS

封裝:    Cut Tape

封裝:    MouseReel

封裝:    Reel

配置:   Single

高度:   1.1 mm

長度:   3.3 mm

系列:   OptiMOS 3

晶體管類型:   1 N-Channel

寬度:   3.3 mm

商標:   Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:   40 S

下降時間:   5.4 ns

產品類型:   MOSFET

上升時間:   4.8 ns

工廠包裝數量:   5000

子類別:   MOSFETs

典型關閉延遲時間:   33 ns

典型接通延遲時間:   8.5 ns

零件號別名:  BSZ4N4LSGXT SP000388295 BSZ040N04LSGATMA1

單位重量:  120 mg

目標應用包括PDA，智能手機，MP3播放器，無線手持，互聯網設備，數碼靜止相機，全球定位系統和手提數字儀器。

緊湊的MLP封裝改善了熱特性，使bqTiny出IC適合用來管理鋰離子和鋰聚合物電池充電器，其充電電流可高達1A，使電池盒能更快地再充電。

TI的bqTiny充電管理IC采用三相充電算法。這種算法有預充電狀況，恒流和準確的恒壓狀況。

它降低了充電時間，提升了總的充電質量，但輸入電壓關閉時降低了電池的漏電。

這種高度集成的MPU，有內置的USB控制器，NAND閃存接口和彩色LCD控制器。

三極管是兩個PN結共居于一塊半導體材料上，因為每個半導體三極管都有兩個PN結，所以又稱為雙極結晶體管。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）

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