溫控靜電吸盤(ESC)增強對關鍵尺寸均勻性和重復性的控制
發布時間:2021/4/19 19:23:16 訪問次數:1196
Primo Twin-Star®使用了雙反應臺腔體設計和低電容耦合3D線圈設計，創新的反應腔設計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，通過采用多區溫控靜電吸盤（ESC）增強了對關鍵尺寸均勻性和重復性的控制。
憑借這些優異的性能和其他特性，與其他同類設備相比，Primo Twin-Star® 以更小的占地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質和導體的各種刻蝕應用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應用。
Longsys DDR5內存進一步減少了信號脈沖的反射干擾效應，讓信號傳輸更加純凈。
DDR5內存使Bank Group的數量增加了一倍，并且每個Group的Bank數量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高了系統的整體效率，允許更多頁面同時被打開。
由于Primo Twin-Star®反應器在很多方面采取了和單臺機Primo nanova®相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star®顯示了和單臺反應器相同的刻蝕結果。
這就給客戶提供了高質量、高輸出和低成本的解決方案。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
Primo Twin-Star®使用了雙反應臺腔體設計和低電容耦合3D線圈設計，創新的反應腔設計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，通過采用多區溫控靜電吸盤（ESC）增強了對關鍵尺寸均勻性和重復性的控制。
憑借這些優異的性能和其他特性，與其他同類設備相比，Primo Twin-Star® 以更小的占地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質和導體的各種刻蝕應用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應用。
Longsys DDR5內存進一步減少了信號脈沖的反射干擾效應，讓信號傳輸更加純凈。
DDR5內存使Bank Group的數量增加了一倍，并且每個Group的Bank數量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高了系統的整體效率，允許更多頁面同時被打開。
由于Primo Twin-Star®反應器在很多方面采取了和單臺機Primo nanova®相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star®顯示了和單臺反應器相同的刻蝕結果。
這就給客戶提供了高質量、高輸出和低成本的解決方案。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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