由于可以抑制電路板的布線長度，因此可以通過減小布線電阻和寄生電感來實現應用的高性能化。

正向電壓VF（@ IF = 10A）低至1.5V，并且對開關時功率損耗產生影響的恢復時間僅為10ns（@ VR = 400V），具有高性能二極管特性。

這與硅快速恢復二極管相比，可以實現更快，更高效的工作。

NJDCD010A065AA3PS具有世界上最小的尺寸，低損耗，高速開關和低噪音的特點，有助于進一步提高各種電源電路和電機驅動電路的高性能、高效率化，小型化和輕量化。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續漏極電流: 114 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 45 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 50 S

下降時間: 4 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 37 ns

典型接通延遲時間: 5 ns

零件號別名: SP001067016 BSZ028N04LSATMA1

單位重量: 36.670 mg

SM2708 設計套件現已上市，其固件具有領先業界的絕佳性能，其中包括：

高性能 PCIe Gen3 x2 通道, NVMe 1.3 規格

支持雙通道/8CE

支持最新3D NAND 閃存

支持 ONFI 4.1/3.0, Toggle 3.0/2.0, 最高達每秒 1,200 MT

NANDXtend® ECC 技術: 高性能 LDPC 糾錯碼（ECC）引擎和 RAID 功能

小于1.5mW的超低功耗

(素材來源：eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）